鴻海、比亞迪、IDM風雲會 布局第三代半導體逐鹿中原
電子時報00:06何致中/綜合報導
新世代半導體發展趨勢風起雲湧,醞釀20多年的氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)並非嶄新的「黑科技」,但隨著無線通訊技術、充電技術越來越需要具「高功率密度」特性的寬能隙(WBG)元件,GaN、SiC等明顯優於主流矽基(Si-Based)半導體的性能備受重視。
特別是在「未來車」相當有機會成為下一個資通訊產業革命的主戰場的此刻,欲想在電動車卡位的龍頭集團業者無不摩拳擦掌。除領頭的國際IDM大廠包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、Cree、羅姆(Rohm)等業者外,中系功率半導體與電動車大廠比亞迪集團,以及台灣EMS龍頭的鴻海集團,紛紛著手對於SiC、GaN領域更深遠的布局藍圖。而針對近期包括兩岸、海外等龍頭大廠布局狀況,以下為DIGITIMES所作整理。
IDM廠轉向8吋廠生產 凸顯領跑者角色
儘管台系業者包括鴻海、中美晶、台積、聯電、富采投控、漢民、穩懋等,力求大打跨界集團戰儘速合縱連橫。惟領跑的國際IDM大廠「轉進8吋晶圓廠」生產已然增速,包括意法、羅姆等,近期英飛凌也宣布與Panasonic共同量產8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)新品,預期2023年上半新品將進入市場。
而此舉正是力圖突破目前第三代半導體元件價格明顯高於矽基元件2~3倍的主要方向之一,目前主流的6吋廠產能也不足以因應未來被廣泛應用於3C充電領域的GaN-on-Si元件。
英飛凌大中華區總裁蘇華、意法亞太區副總裁暨台灣區總經理Giuseppe Izzo等也公開指出,第三代半導體領域IDM大廠們已經卡好最佳位置,GaN、SiC的市場接受度目前看來也比預期快。
IDM廠在技術、產品組合、整體解決方案都相當完整,甚至是第三代半導體在材料以外的各種電源IC週邊包括驅動器、MCU等全方位配套策略,目前恐怕仍是寬能隙元件領域發展最全面的主力。
比亞迪、鴻海各自出招 共逐EV、第三代半導體大計
鴻海總裁劉揚偉於SEMI論壇中指出,EV將持續替第三代半導體的SiC、GaN鋪路,未來也可望成為一座「新護國神山」。
新世代化合物半導體潛力高 新護國神山待醞釀
事實上,化合物半導體也包括一般稱為第二代半導體的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等等,穩懋副董事長王郁琦指出,化合物半導體繼5G RF應用、手機用3D感測應用等,後續包括未來的6G、衛星通訊、車用光達(LiDAR)、生物辨識等,在在都需要更多的化合物半導體,也將成為次世代半導體關鍵之一。
整體來看,舉凡光學元件、充電元件、通訊元件等,囊括寬能隙材料的第三代半導體潛力持續被市場重視,而不管是業界老鳥或集團新兵,組隊大打世界盃的風雲集結態勢為現在進行式,更可能往國家產業戰略方向角度前進,這也回應鴻海總裁劉揚偉所述,台灣已經在矽半導體享有高度成就,如何複製到剛起步的第三代半導體,打造一座「新護國神山」,更是未來產官學研界重點任務。
隊長資料整理:
TrendForce示,2021 年各國 5G 通訊、 消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使基地台、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,第三代半導體氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%。據TrendForce研究,氮化鎵功率元件主要應用大宗為消費性產品,至2025年市場規模將達8.5億美元,年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查,截至目前有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機,且筆電廠商也有意跟進。
全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元,年複合成長率達38%,前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%,新能源車產業又以主驅逆變器、車載充電機(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應用大宗。
漢民科技集團,控股公司。打入華為5G基地台供應鏈。
旗下「嘉晶」(61.2%)為國內前二大磊晶矽晶圓供應商。
旗下「漢磊科技」(100%)為國內最大功率/類比IC晶圓代工廠、全球第九大矽磊晶圓廠,生產MOSFET、IGBT及二極體。
4吋廠600~1200V SiC SBD/MOSFET已量產。
6吋廠1700V SiC SBD/MOSFET已量產
SiC晶圓薄化可達100微米。
因應5G、電動車應用帶動功率半導體需求,研發WBG寬能隙材料的GaN氮化鎵、SiC碳化矽製程,漢磊旗下三座晶圓廠都已通過車規認證並量產。
去年EPS-1.64元。今年上半年EPS 0.07元轉虧為盈。
今年7月營收6.31億元續創新高,月增4.43%、年增41.08% 八月營收再創新高
漢磊布局化合物半導體超過10年,這將是未來營運主軸,近2年策略上正往氮化鎵、碳化矽、車用MOSFET、二極體、靜電保護等TVS等5類別發展,特別鎖定車用相關,今年已看到成效,由於碳化矽與氮化鎵產品價格比一般半導體高,對漢磊營收或獲利都會有幫助。漢磊下半年到明年上半年營運展望皆樂觀,因為還有很多客戶排隊要產能,「客戶追單仍多,產能滿到年底沒有問題」。惟上半年剛虧轉盈,EPS還未顯現,
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rf展2023 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 八卦
#物聯網IoT #蜂巢式通訊 #機器對機器M2M #LTE-M #NB-IoT
【低功耗 LTE 可能帶來「大規模的 IoT」部署?】
蜂巢式技術的覆蓋範圍比任何其他無線技術更好,強大的通訊協定以及用於蜂巢式通訊的頻譜分配的監管、許可和管理所實現的品質服務保證 (QoS),進一步強化了這些優勢;這已引起了負責建設物聯網 (IoT) 工程師的注意,有望把遠端低功耗廣域網路 (LPWAN) 的 IoT 感測器直接連接到雲端。另外,蜂巢式技術可當作 LPWAN 基礎,而 LPWAN 可充當由低功耗藍牙或 Thread 等短距離無線技術支援的區域網路 (LAN) 的雲端閘道。但在此之前,還有一些工作要進行。
蜂巢式數據機已找到將昂貴遠端資產連接到雲端的利基市場,例如,用於控制智慧配電網的農村智慧電子設備 (IED) 會定時透過蜂巢式數據機將資訊發送回控制中心,但它們不適合 IoT 應用。首先,許多 IoT 使用正在逐步淘汰的傳統 2G 網路,這些舊技術 2025 年前便會消失。其次,蜂巢式 2G、3G 和 4G LTE 數據機很貴,體積龐大且功耗大——因為它們必須設計為符合電訊標準協會的第三代合作夥伴計畫 (3GPP) 之中,用於更高類別 (更高輸送量) 操作的規範。
3GPP 在 2015 年發佈其第 13 版本的規格時,將數據機類擴展到 LTE 類別 M1 (LTE-M) 和窄頻 (NB-IoT)。這一舉措鼓勵開發用於 IoT 應用的 4G LTE 數據機,這些 IoT 應用是使用更高類別單元時難以實現的。許多廠商認為,LTE 和 NB-IoT 數據機是最有機會實現 LPWAN 的快速大規模部署和加速 IoT 的發展的技術。因為 LTE 是一個開放標準,在 RF 頻譜的許可部分運行;利用現有基礎設施覆蓋以及具有共存機制,這個共存機制允許擴展每個基地站的高節點數。
相比之下,與之競爭的 LPWAN 私有技術包括由某些公司擁有和控制的元件,當其他供應商採用時要繳付許可費用、且產品差異化空間會受到限制;此外,因為這些頻譜是共用資源,在未經許可的 RF 頻譜分配 (通常在低於 1 GHz 頻率) 中很難實現共存性。根據電訊設備製造商愛立信等公司和 GSMA 的看法,低功耗 LTE 可能帶來「大規模的 IoT」部署;愛立信更進一步指出,到 2023 年蜂巢式技術將迅速擴展到助力 18 億個 LPWAN 連接設備中的 75%。
延伸閱讀:
《為甚麼低功耗的蜂巢式技術將可支撐物聯網?》
http://www.compotechasia.com/a/ji___yo…/2018/0709/39352.html
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