#物聯網IoT #半導體製程 #先進封裝 #系統級封裝SiP #球柵陣列封裝BGA #覆晶FlipChip #浸漬膏 #焊料粉設備
【先進封裝成本高 => 良率目標:零缺陷!】
IC 封裝往 3D 立體發展,晶粒之於整個封裝的交互 (interaction) 與整合頓成研究重心。先進封裝多是將不同晶粒集成在一個基板上,對於良率及「零缺陷」的要求更趨嚴格,而系統級封裝 (SiP) 的晶片互連性 (interconnection) 可靠度又比個別元件重要的多;因位於其間的每個子系統封裝都是成本,即使一個小瑕疵都足以壞了一鍋粥!而助焊劑 (Flux) 成份、焊料粉表面粗糙或氧化物過多、粉末大小不均、回流焊外形,皆是造成孔洞的凶手。
當封裝體積、線徑越來越小,焊料粉的體積勢必更精細。另一方面,粉末體積縮小意謂處理表面變大,粉末必須有效覆蓋才不會出現孔洞;再者,隨著粉末的粒子直徑變小,焊料粉成品必須更精細、光滑才能緊密黏著。將浸漬膏 (dipping paste) 改良創新,增加金屬含量、強化凝聚力,可預防覆晶 (Flip Chip) 封裝在回焊過程滑落;且因為可取代助焊劑、沒有殘留物,銅/有機保焊劑 (OSP) 基板表面不須預洗,省工省時,且更易於填膠及加熱固化。
延伸閱讀:
《黏晶/焊接材料決定 SiP 封裝的互連性優劣》
http://www.compotechasia.com/a/____//2017/1018/36978.html
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#賀利氏Heraeus #Welco #SEMICON2017
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#物聯網IoT #半導體製程 #扇出型封裝 #覆晶FlipChip #電化學沉積ECD
【快速電鍍可強化半導體元件可靠度】
在物聯網 (IoT) 狂潮浪湧下,扇出型 (Fan- out) 封裝將呈爆炸性成長,可望彌補目前覆晶 (Flip Chip) 封裝的不足,包括:改善散熱和電性效能、藉由多次重佈線 (RDL) 提供更多 I/O 接腳數目、整合更多功能,以及封裝尺寸更小等,這同時也為銅柱 (copper pillar) 電化學沉積 (ECD) 製程帶來挑戰。借助快速電鍍提高電流密度,可提高電流量、降低孔洞以強化半導體元件的可靠度。為此,電鍍設備的發展也悄悄發生了變化。
延伸閱讀:
《ECD 製程朝高深寬比&高速電鍍邁進》
http://compotechasia.com/a/____//2017/1018/36979.html
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#阿托科技Atotech #MultiPlate電鍍設備 #SEMICON2017
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#物聯網IoT #半導體製程 #工業4.0 #晶圓級封裝WLP #堆疊封裝PoP #系統級封裝SiP #多晶片封裝MCP #覆晶FlipChip #熱壓焊接TCB #植球Stud Bumping #光刻Lithography #燒結法切割軟刀
【摩爾定律行不通?山不轉,路轉!】
物聯網 (IoT) 時代來臨,迫使電子元件在講究豐富內涵 (功能) 的同時,不得不追求更輕巧的體態,外形也不像過去一樣規矩呆板,讓「封裝」的重要性與日俱增。尤其在摩爾定律遭遇滯礙,即使電晶體數目瘋狂倍增、效能增進仍有限後,從晶圓級封裝 (WLP)、堆疊封裝 (PoP) 或系統級封裝 (SiP) 著手似乎已成共識。特別是記憶體封裝,當容量越來越高,PoP 越見蓬勃,而懸空打線 (Wire Bonding) 又是另一門學問;為避免用力過猛導致晶片破裂,如何抑制打線造成太大振動,將是良率關鍵。
再者,「整合型扇出封裝」(Integrated Fan-out, InFo) 因可進一步省去中介載板,成本較傳統 PoP 降低 2~3 成以上,更是業界絞盡腦汁鑽研的方向。隨著封裝趨於多樣化,切割、黏晶、焊接、打線等製程分工不若以往明確,設備機台亦須與時俱進,朝「一機多用途」發展。以當紅 Fan- out 為例,要在晶圓上就地執行,還是待黏晶後的基板上再做?其實未有定論。雖然半導體的後段製程演進不如前段快速,通常前段要經過 2~3 迭代才會引領後段跟進;但每至指標性世代,後段亦須即刻加入微縮行列。
延伸閱讀:
《IoT 元器件五花八門,IC 封裝各出奇招》
http://compotechasia.com/a/shi__shang_/2017/1018/36980.html
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