小弟有個想不透就是如果mos作為開關導通s和d的電壓應該要很接近（可能有Rdson的一點壓降） 那為什麼會操作在飽和區呢？ ... <看更多>

2 F →samm3320: 飽和區的vds 也不用很大，超過vgs-vt 就行了 02/08 11:31. 3 F 推taipoo: google「MOS 開關電路」找圖片，就有一堆電路圖範例了 02/08 ... ... <看更多>

小弟有個想不透就是如果mos作為開關導通s和d的電壓應該要很接近（可能有Rdson的一點壓降） 那為什麼會操作在飽和區呢？ 還是我有哪裡觀念錯誤了？ ... <看更多>

想問一下版上的各位，bjt當開關時，on跟off主要是作用在飽和區和截止區，那mos當開關時，on的狀態是作用在歐姆區還是一樣是飽和區呢？ ... <看更多>

mosfet開關飽和區討論推薦，在PTT/MOBILE01/Dcard體驗分享和優惠推薦，找mosfet開關工作區,mosfet開關速度,nmos pmos開關原理在Instagram影片與照片(Facebook/Youtube) ... ... <看更多>

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R192和R56的值原則上要讓BJT只能處於截止區(Off)或飽和區(ON). R192太小可能會讓BJT進入順向主動區, Vce會增加導致MOS的gate端處於要開不開的狀態 ... <看更多>

應用電子學實驗L8 1BJT主動區與 飽和區 的電路分析. Watch later. Share. Copy link. Info. Shopping. Tap to unmute. ... <看更多>