台積電今天股價再飆天價,外資齊喊買,這波漲勢除了蘋果MI晶片大好,帶動未來代工更多筆電晶片的期待,以及外資看好台積電淡季不淡,未來5G、AI將會使用更多晶片,甚至電動車的晶片代工都成為市場期待的焦點。
這周節目邀請到UL全球研發總監王凱魯博士聊電動車的電池技術,大家有聽了嗎?(節目網址:https://user72908.psee.io/38jyv8)
不過電動車其實除了電池,半導體應用也非常有趣,查了一下資料,電動車對於高頻、高壓功率元件需求大幅增加,因此也帶動像是 氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬能隙半導體材料興起!
這些被稱作是「化合物半導體」隨著電動車發展(最近連鴻海也傳要做電動車啦),可說是半導體界的明日之星。
日前除了台積電宣布與意法半導體合作開發GaN,瞄準未來電動車之應用,國際大廠包括英飛凌、Navitas、GaN Systems、Transphorm等都積極部署GaN,另外像是世界先進、嘉晶、漢磊、茂矽等也投入發展,相關商機備受期待。
而今天富采投控掛牌大漲,其實也是因為這股商機!(詳情可見留言處新聞連結)
在2020年SEMICON TAIWAN拍攝展場直擊時,正好有採訪到這一塊,還沒去之前正奇怪為何現場放一台電動車,原來,半導體與電動車關係如此密切!有興趣的朋友可以看看:)
BTW,這支專題影片很榮幸由我的團隊協助SEMI進行製作,從企劃、拍攝、主持、採訪、後製全包,且是全英文,算是我2020年很有成就感的作品之一,總共做了八支,之後會陸陸續續與你們分享,希望你們也喜歡,在展場上有看過的歡迎留言跟我相認,也歡迎各家企業私訊合作:)
SEMI 國際半導體產業協會
同時也有10000部Youtube影片,追蹤數超過62萬的網紅Bryan Wee,也在其Youtube影片中提到,...
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transphorm股價 在 股民當家 幸福理財 Facebook 八卦
決定台灣未來的SiC、GaN
2021/1/11(一)大家早,我是 LEO
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■ 什麼是SiC 及GaN
碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)現在全世界矚目的焦點,全新的第三代半導體材料,相較於第一代半導體材料的矽(Si)、第二代半導體材料的砷化鎵(GaAs)相比,承受更高電壓,電流更快通過,具有低耗能等優點,兩者都被稱為未來半導體界的明日之星。
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也許有些人還不知道什麼是半導體,一般的材料導電或不導電(絕緣)分成導體與非導體(絕緣體),半導體它厲害的地方在於,將它施加電壓時就會導電、不施加電壓時就會絕緣-不導電,導電與否的能力就是由材料的傳導性質所決定,光是這個發現就得了一個物理諾貝爾獎。
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碳化矽、氮化鎵兩者都是未來半導體的關鍵材料,節能減碳的趨勢,各種未來的新興產業,快速充電、車用LiDAR、資料中心、無線充電、電動車、太陽能發電、直流電網、充電樁…等應用都需要高轉換效率的功率半導體。
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■ 寬能隙半導體
為什麼碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)被稱為「寬能隙半導體」,因為它的能隙是Si的三倍多,崩潰電場是Si十倍多,能隙(bandgap)決定了半導體的崩潰電場,就是能承受住多大的電壓,能隙越寬,越能耐高電壓、高電流、高能源轉換效率,矽的能隙寬約是1.17 eV,SiC的能隙寬為3.26 eV,GaN的為3.5eV。
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兩者相比氮化鎵能隙更寬,電子遷移率更高,但熱導率卻更低,耐輻射性能也更優異,被認為更有機會實現低導通電阻、高開關速度的材料。
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■ 全世界競相押寶發展
日本是全球第一個研發氮化鎵的國家,去年10月日本經濟產業省傳出全力發展氮化鎵,5年內撥款90兆日圓 (約25.2兆台幣),動用國家隊力量,資助研發氮化鎵的大學與企業。
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但是,目前碳化矽發展比氮化鎵更成熟,市場研究機構Yole Developpement估計,到2025年SiC元件市場營收將佔據整體電力電子市場的10%以上,同時GaN元件的營收比例則會超過2%。
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SiC元件的知名供應商包括意法半導體(ST)、Cree/Wolfspeed、羅姆(Rohm)、英飛凌(Infineon)、安森美(OnSemi)以及三菱(Mitsubishi Electric),GaN元件的主要供應商,包括PI (Power Integrations)與英飛凌,還有新創公司Navitas Semiconductor、Efficient Power Conversion (EPC)、GaN Systems與Transphorm。
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■ 領頭羊科銳Cree的決心
目前全球SiC龍頭Cree美商科銳,過去30年原本是 LED的領導廠商,全球排名第三,2018年起轉型發展第三代半導體碳化矽材料,並出售LED賺錢業務,下定決心,立志在成為碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)元件領域的強權,2018年EPS -2.81元,2019年 -3.62元,2020年 -1.78元,跨入SiC後大量資本資出,甚至虧損累累,但是最近一年卻飆漲 137%,股價更飆上121.67美元,創歷史新高。
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由此可見市場現在高度期待的是未來電動車、5G、軌道交通、電網、太陽能的廣泛應用,甚至有朝一日全面取代矽基半導體,試想虧錢就飆成這樣,如果開始獲利,股價可能會漲到外太空。
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目前SiC元件最成功的市場領域在電動/混合動力車市場,GaN元件應用於高階智慧型手機的快速充電應用,將成為未來五年的成長主力,Tesla Model 3就採用意法半導體(STM)的SiC半導體模組。
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■ 台灣半導體射月計畫
不管是日本、美國、歐洲、甚至中國都全力發展第三代半導體材料並列入145計畫,除了電動車、節能應用,SiC跟國防、航太有都關係,Si元件工作溫度上限是攝氏100度,SiC可以到200度,特殊設計可以到300度。
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SiC抗輻射,可應用在核電廠,NASA也應用在太空科技上,這種技術國外不可能轉給台灣,政府要求工研院投入研發,成功後把技術和人才完全移轉給漢磊與嘉晶,因為當時只有他們率先投入,這就是台灣的半導體射月計畫。
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■ 漢磊、嘉晶佈局最早
經過8年多的耕耘、著墨最深,領先其他廠商,嘉晶(3016)是國內唯一有能力量產4吋、6吋碳化矽磊晶及6吋氮化鎵磊晶的公司,擁有磊晶專利技術,品質也獲得國際IDM大廠認可。6吋碳化矽晶圓已在試產階段,客戶端電動車需求最大,只要通過驗證,就開始出貨、貢獻營收。
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漢磊(3707),它的650伏特高壓氮化鎵已經通過電動車的車用標準認證,並且開始逐漸導入,吸引國外與台灣多家電動車相關業者洽談合作,未來電動車對SiC、GaN有很高的需求,就連環球晶董座徐秀蘭也表示:估計未來十年內第三代半導體,複合成長率不會輸給現有矽晶圓。
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國際IDM大廠英飛凌、瑞薩、意法半導體,車用營收占比明顯攀升,禁售其柴油車的趨勢就在眼前,國際IDM廠庫存降低,委外代工將更為明顯,甚至漲價,營運動能一路旺至今年上半年,漢磊及嘉晶將優先受惠!
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此外,中美晶(5483)投資35億元,入主砷化鎵晶圓代工廠宏捷科(8086),投入氮化鎵的製程開發,期望能達成互補效應,發展潛力也值得關注。
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transphorm股價 在 スキマスイッチ - 「全力少年」Music Video : SUKIMASWITCH / ZENRYOKU SHOUNEN Music Video Youtube 的評價
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transphorm股價 在 [新聞] GaN半導體裝置市場到2027年將達到58.5億- 看板Stock 的八卦
GaN半導體裝置市場到2027年將達到58.5億美元、成長率19.8%
1.原文連結:
https://bit.ly/3nlzdy5
2.原文內容:
基於摩爾定律即將走到極限,各家半導體業者正尋求第三代半導體開發。所謂第三代半導
體係指材料以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)及硒化鋅等寬頻半導體為主,有別於第一代
的矽(Si)、第二代的砷化鎵(GaAs)之半導體材料。
根據市場研究機構Grand View Research進行的一項氮化鎵(GaN)半導體裝置市場研究,預
測到2027年,全球 GaN半導體裝置市場規模預計將達到58.5億美元,從2020年到2027年,
複合年增長率為19.8%。市場增長原因,因氮化鎵(GaN)技術進步及在各種半導體裝置
產品應用呈現增長態勢,例如:5G無線通信設備的需求(主要在國防通信領域、E類,F類
和C類功率放大器)推動需求的成長。
航太和國防技術公司,例如:
L3Harris Technologies Inc .;Northrop Grumman公司;BAE Systems正在與政府機構合
作,將氮化鎵半導體用於軍事電子戰(EW)系統和AESA雷達應用。
2012年2月,Northrop Grumman公司設立了先進技術實驗室,以開發用於關鍵軍事項目的
氮化鎵半導體。該公司與美國政府已投資超過3億美元,用於在軍事系統中開發和集成GaN
半導體,以增強太空,飛機和地面防禦通信系統的功能。
恩智浦宣布在美國建廠所要生產5G用晶片,材料也是氮化鎵。
Transphorm公司(矽晶片上氮化鎵功率器件的初創公司)宣布已完成一筆3500萬美元的E
輪融資。本輪融資由日本創新網絡公司(INCJ)和日本國際電子公司(NIEC)領導。
還有,電動車輛的車載充電站和EV充電樁的供應設備中對GaN半導體裝置的需求已經增加
。例如,在2019年10月,名古屋大學發布了一款完全使用氮化鎵半導體裝置的電動汽車
All GaN Vehicle。與目前使用SiC開發的電動汽車相比,該汽車的效率提高了20%。由於
這些晶片在車載資通訊娛樂主機(IHU)和高級駕駛員輔助系統(ADAS)等汽車應用中的
使用量不斷增加,因此預計8英寸晶片市場將受到高度關注。
由於,對高效和高性能射頻零組件的需求不斷增長,以及中國、日本和韓國等國家的電動
汽車產量激增,亞太地區有望成為GaN增長最快的地區市場。例如,中國『十四五規劃』
投入10兆人民幣拚第三代半導體自主。
GaN半導體裝置零組件,包括:晶體管、二極管、整流器、電源IC及其他。
目前,氮化鎵(GaN)半導體裝置市場主要參與者:
Cree
Efficient Power Conversion Corporation
富士通有限公司
GaN Systems
英飛凌科技股份公司
NexGen電力系統
恩智浦半導體
Qorvo, Inc.
德州儀器公司
東芝公司
日本經產省決定押寶氮化鎵
日本也由政府集結上中下游產業合作發展GaN,5年內撥款90兆日圓(約25.2兆台幣)資助研
發氮化鎵在半導體方面應用的大學、企業,目標2020年代後半全面量產。雖然,碳化矽發
展比氮化鎵更成熟,但日本是全球第一個研發氮化鎵的國家,而且發展為成熟的材料自然
有更多未來性,都可能是日本經產省決定押寶氮化鎵的原因。物理學界曾有研究指出,若
所有半導體都改用氮化鎵為材料,目前所有電子產品耗電能減少10至25%。
中國大陸計劃正在制訂的『十四五規劃』(2021-2025年期間)將納入第三代半導體產業發
展,從教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面,大力支持發展第三代半導體產業,
以期實現半導體產業獨立自主。但目前尚不知是否集中發展GaN半導體。
歐盟也將上中下游產業聚集合作,搶攻第三代半導體產業發展。
3.心得/評論:
看好在電動車、通訊設備的使用,第三代半導體市場預計將持續成長,中國、日本、歐盟
也有相關的投資計畫。
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