ADI Video:LTspice：SOAtherm教程
在高功率水準下驗證熱插拔設計不超出MOSFET的限值是一個極大的挑戰。幸運的是，利用LTspice IV®等電路模擬器可以針對熱行為和SOA進行建模。LTspice中的SOAtherm-NMOS符號包含一系列MOSFET熱模型，旨在簡化這一任務。這些熱模型可以用來驗證設計不超出MOSFET最高晶片溫度，即便在Spirito區域中，所允許的電流在高汲源級電壓下呈指數級下降，也可進行驗證。理論上，SOAtherm會報告MOSFET晶片上的溫度最大值。SOAtherm模型可以在不影響電路模擬的電特性的前提下預測MOSFET的溫度。本視頻介紹了如何使用LTspice中的SOAtherm模型，並重點介紹了電路設計人員如何輕鬆評估應用的SOA需求以及所選的N通道MOSFET是否合適。
https://youtu.be/jMMZkUPc-Bg
nmos符號 在 Re: [問題] MOS的問題- 看板Electronics - 批踢踢實業坊 的八卦
※ 引述《xlissvia ( )》之銘言：
: MOS的Drain、Source這兩端能互換嗎？
: 因為看到數位電路的NMOS和PMOS圖樣沒有把箭頭標出來
: 所以突然有這個疑問
: 史密斯課本寫說數位的MOS符號是從電流的流向判斷Drain和Source
: 所以好像可以互換？
: 不過又查一下實驗講義中的電路元件圖（例如CD4007）
: 還是有把Drain跟Source的接腳標示清楚
: 那又是怎麼回事呢？
: 感謝解答...
當然可以互換。在實體結構上，drain與source是沒什麼分別的。
製作的過程中，閘級對準後，兩側就產生了，參雜濃度也一樣，也都有LDD
並無二異。
只要一側的外加電壓較高能驅使電流向另一端流動，那一端就是Drain
而低電壓的一端則是跟substrate接在一起。
之所以標示，是因為CD4007是一顆內含3對inverter，且閘級附有diode保護的IC
在規格表中，它呈現的是某種示範接法。
像在範例中，你也可以把pin 2,4 當output,pin 1與5分別接vdd與gnd。
如果不行，那就表示在內部，PMOS中的substrate與pin2接一起，所以要接vdd;
NMOS中的substrate與pin4接一起，所以要接gnd，無法做對調使用，它已經定死了。
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對流血一週仍然不死的生物千萬不能大意……。
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