#電源 #閘極驅動器GateDriver #MOSFET #同步降壓轉換器 #功率因數校正PFC
【提高系統效率不只一種方法……】
想利用更少的輸入電源獲得更多的電源輸出,達到更高的系統效率?可從更好的閘極驅動器、控制器和嶄新的寬能隙技術著手。高電流閘極驅動器能將開關損耗降至最低,提升總體系統效率;開關損耗通常發生在 FET 做切換或開關時,為開啟 FET,閘極電容的充電量必須超過閾值電壓。閘極驅動器的驅動電流有助於閘極電容的充電。驅動電流能力越高,電容能更快充電或放電,控制大量電荷的拉電流和灌電流能使功率損耗和失真最小化。
傳導損耗是 FET 的另一種開關損耗,傳導損耗是由 FET 的內部電阻或導通電阻 (RDS(on)) 所決定,會使 FET 在電流傳導過程中耗散功率。換句話說,目標在於將那些需要高頻功率轉換的系統中的開關轉換時間週期作最小化。能夠將這種表現突顯出來的閘極驅動器規格結合了上升和下降的時間。若能進一步延遲匹配功能,更能有效加倍驅動電流;延遲匹配是兩個通道之間內部傳播延遲的匹配,乃透過平行輸出、或將雙通道閘極驅動器通道予以連接實現。
提高系統效率的結果之一是功率密度的提高。另一方面,高速閘極驅動器亦可降低 FET 本體二極體功耗達到相同效果;本體二極體由 p-n 接面形成並位於汲極和源極之間,限制其傳導時間將進而減少通過兩端所消耗的功率。當 MOSFET 處於傳導狀態時,本體二極體上的電壓降通常高於 MOSFET 兩端電壓;由於在相同電流位準下,P = I×V (功耗=電流X電壓降),經由 MOSFET 通道的傳導損耗明顯低於通過本體二極體的傳導損耗。更多資訊:www.ti.com/gatedrivers。
TIDesigns 展示:http://compotechasia.com/microsite/TI。
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●高效 410 WAC / DC 電源參考設計:http://www.ti.com/tool/PMP11064…
●隔離 GaN 驅動器參考設計:http://www.ti.com/tool/TIDA-00785
●電信用 1 kW 三軌道隔離 DC / DC 數位電源 (-8V @ 25A):http://www.ti.com/tool/PMP4333
延伸閱讀:
《如何實現更高的系統效率》
http://compotechasia.com/a/ji___yong/2017/0601/35554.html
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#德州儀器TI #UCC27524A
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#乙太網供電PoE #供電端PSE #受電裝置PD #金屬氧化物半導體場效電晶體MOSFET #半導體製程
【PoE 輸出功率再躍進!】
IEEE 802.3bt 協定的出世,將乙太網供電 (PoE) 功率又向上推升了一個層級!原本 CAT 終端電纜只有四根線派上用場,轉為八根線全部上陣,讓傳輸到受電裝置 (PD) 的功率,一舉從 25.5W 增加到 71.3W,總輸出功率逼近 100W 極限值;且在增加傳輸功率的同時,還可降低電纜中的功率損耗。
在物理分級擴展中,亦允許供電端 (PSE) 和 PD 協商功率請求和可用功率,以獲得更高功率分級升級、低維持功率特徵 (MPS) 並支援自動分類。所有 PD 都需用到雙二極體全橋功能,以便接收來自任意一個四線組的功率;二極體橋還可執行極性校正,惟二極體以及與之關聯的電壓會下降並產生大量的熱量。
半導體製程也是關鍵。PSE 採用主動控制、低導通電阻 RDS(on) 的金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 取代矽二極體或肖特基二極體,可再節省 2W 功耗以供 PD 應用;而採用低導通電阻 RDS (on)、外部 MOSFET 執行檢測、分級、加電、上電功能的 PD,可縮減尺寸、減少元件數和針腳數。此外,包含整合四階返馳式 DC/DC 轉換器的升級版本,讓建置者可搭配 PSE 使用,充份發揮 802.3bt 的功能優勢。
演示視頻:
《新一代乙太網路供電》
https://www.youtube.com/watch?v=jkC7dJSkA8w&feature=emb_logo
http://compotechasia.com/a/CTOV/2020/0401/44390.html
#亞德諾ADI #LTC4291 #LTC4292 #LT4294 #LT4295
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#電源設計 #類氮化鎵 #超接面MOSFET #切換模式電源供應器SMPS
#功率因子校正PFC #連續導通模式CCM
【超接面 MOSFET,可降低導通和切換損失】
更快的切換速度、更低的損失、維持最佳基板空間和最低的整體擁有成本 (TCO),是當今電源供應器設計師面臨的最主要挑戰。最新的超接面 (SJ) MOSFET 技術藉由降低導通電阻並提供「類氮化鎵」切換損失,可解決諸多硬切換/軟切換應用難題。
高階電源轉換應用可區分為需要最高效率,以及需要高階效率但又須兼顧嚴格物料清單 (BoM)、成本及外型需求的應用。前者包括超大規模資料中心及電信基地台,其目標電源供應效率最高可達 98%;後者包括企業伺服器,其效率約 94%,關鍵在於節省基板空間並降低整體物料清單及設計成本。最佳化高功率「切換模式電源供應器」(SMPS) 設計須符合特定應用需求,依拓撲型態在操作上可分為「硬切換」或「軟切換」。
硬切換拓撲——例如功率因子校正 (PFC) 電路,在切換電晶體開及關時,電壓與電流之間有一個重疊。此重疊會導致能源損失,藉由提升切換速度 (會影響 EMI 行為) 可將上述損耗降至最低。在軟切換拓撲中——例如 LLC 諧振轉換器,在電晶體開啟或關閉前,電壓或電流會變成零,有改善損失的效果,而平順的諧振切換波形亦有助於降低 EMI。對於 SMPS 設計師而言,選擇功率 MOSFET 非常重要;元件必須有效率地切換,且具備高電壓與高頻率的可靠性。
採用超接面 (SJ) 技術的 MOSFET 大多採用硬切換設計,但最新的技術使 SJ MOSFET 能同時解決硬切換與軟切換的需求。傳統 MOSFET 汲極漂移區的電壓阻斷功能來自於結合較厚的外延區與光摻雜,導致汲極區構成 95% 的整體元件電阻;但 SJ 電晶體採用不同的汲極架構以降低特定區域的電阻,不影響電壓阻斷功能。除了提供較低的導通損失之外,SJ 技術可達到較小的晶片區域亦有助於減少電容並降低切換損失。
延伸閱讀:
《次世代高頻電源轉換提供最佳化效率、節省空間》
http://compotechasia.com/a/ji___yong/2016/1024/33813.html
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#英飛凌Infineon #CoolMOSC7
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