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在hybrid bonding這個產品中，有2篇Facebook貼文，粉絲數超過2萬的網紅COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化，也在其Facebook貼文中提到， #物聯網IoT #半導體製程 #工業4.0 #晶圓級封裝WLP #堆疊封裝PoP #系統級封裝SiP #多晶片封裝MCP #覆晶FlipChip #熱壓焊接TCB #植球Stud Bumping #光刻Lithography #燒結法切割軟刀 【摩爾定律行不通？山不轉，路...
　同時也有1部Youtube影片，追蹤數超過4,780的網紅Edwin 哥哥 - 親子learning VLOG，也在其Youtube影片中提到，Orix 租車一定要去呢個網站： http://car.okitour.net/ 佢會幫你搵最平既優惠！今次我哋租3日車 （7人 Honda Freed Hybrid）大約 15000円。 租車記得要有國際牌，喺香港運輸署好易搞！今次租車用 Orix Rent-A-Car ，雖然冇中文staff...

hybrid bonding 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 八卦

COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 By COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

2017-11-10 14:30:00 有 70 人按讚
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#物聯網IoT #半導體製程 #工業4.0 #晶圓級封裝WLP #堆疊封裝PoP #系統級封裝SiP #多晶片封裝MCP #覆晶FlipChip #熱壓焊接TCB #植球Stud Bumping #光刻Lithography #燒結法切割軟刀

【摩爾定律行不通？山不轉，路轉！】

物聯網 (IoT) 時代來臨，迫使電子元件在講究豐富內涵 (功能) 的同時，不得不追求更輕巧的體態，外形也不像過去一樣規矩呆板，讓「封裝」的重要性與日俱增。尤其在摩爾定律遭遇滯礙，即使電晶體數目瘋狂倍增、效能增進仍有限後，從晶圓級封裝 (WLP)、堆疊封裝 (PoP) 或系統級封裝 (SiP) 著手似乎已成共識。特別是記憶體封裝，當容量越來越高，PoP 越見蓬勃，而懸空打線 (Wire Bonding) 又是另一門學問；為避免用力過猛導致晶片破裂，如何抑制打線造成太大振動，將是良率關鍵。

再者，「整合型扇出封裝」(Integrated Fan-out, InFo) 因可進一步省去中介載板，成本較傳統 PoP 降低 2～3 成以上，更是業界絞盡腦汁鑽研的方向。隨著封裝趨於多樣化，切割、黏晶、焊接、打線等製程分工不若以往明確，設備機台亦須與時俱進，朝「一機多用途」發展。以當紅 Fan- out 為例，要在晶圓上就地執行，還是待黏晶後的基板上再做？其實未有定論。雖然半導體的後段製程演進不如前段快速，通常前段要經過 2～3 迭代才會引領後段跟進；但每至指標性世代，後段亦須即刻加入微縮行列。

延伸閱讀：
《IoT 元器件五花八門，IC 封裝各出奇招》
http://compotechasia.com/a/shi__shang_/2017/1018/36980.html
(點擊內文標題即可閱讀全文)

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hybrid bonding 在 台灣物聯網實驗室 IOT Labs Facebook 八卦

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2021-07-27 11:56:34 有 1 人按讚
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摩爾定律放緩　靠啥提升AI晶片運算力？

作者 : 黃燁鋒，EE Times China
2021-07-26

對於電子科技革命的即將終結的說法，一般認為即是指摩爾定律的終結——摩爾定律一旦無法延續，也就意味著資訊技術的整棟大樓建造都將出現停滯，那麼第三次科技革命也就正式結束了。這種聲音似乎是從十多年前就有的，但這波革命始終也沒有結束。AI技術本質上仍然是第三次科技革命的延續……

人工智慧(AI)的技術發展，被很多人形容為第四次科技革命。前三次科技革命，分別是蒸汽、電氣、資訊技術(電子科技)革命。彷彿這“第四次”有很多種說辭，比如有人說第四次科技革命是生物技術革命，還有人說是量子技術革命。但既然AI也是第四次科技革命之一的候選技術，而且作為資訊技術的組成部分，卻又獨立於資訊技術，即表示它有獨到之處。

電子科技革命的即將終結，一般認為即是指摩爾定律的終結——摩爾定律一旦無法延續，也就意味著資訊技術的整棟大樓建造都將出現停滯，那麼第三次科技革命也就正式結束了。這種聲音似乎是從十多年前就有，但這波革命始終也沒有結束。

AI技術本質上仍然是第三次科技革命的延續，它的發展也依託於幾十年來半導體科技的進步。這些年出現了不少專門的AI晶片——而且市場參與者相眾多。當某一個類別的技術發展到出現一種專門的處理器為之服務的程度，那麼這個領域自然就不可小覷，就像當年GPU出現專門為圖形運算服務一樣。

所以AI晶片被形容為CPU、GPU之後的第三大類電腦處理器。AI專用處理器的出現，很大程度上也是因為摩爾定律的發展進入緩慢期：電晶體的尺寸縮減速度，已經無法滿足需求，所以就必須有某種專用架構(DSA)出現，以快速提升晶片效率，也才有了專門的AI晶片。

另一方面，摩爾定律的延緩也成為AI晶片發展的桎梏。在摩爾定律和登納德縮放比例定律(Dennard Scaling)發展的前期，電晶體製程進步為晶片帶來了相當大的助益，那是「happy scaling down」的時代——CPU、GPU都是這個時代受益，不過Dennard Scaling早在45nm時期就失效了。

AI晶片作為第三大類處理器，在這波發展中沒有趕上happy scaling down的好時機。與此同時，AI應用對運算力的需求越來越貪婪。今年WAIC晶片論壇圓桌討論環節，燧原科技創始人暨CEO趙立東說：「現在訓練的GPT-3模型有1750億參數，接近人腦神經元數量，我以為這是最大的模型了，要千張Nvidia的GPU卡才能做。談到AI運算力需求、模型大小的問題，說最大模型超過萬億參數，又是10倍。」

英特爾(Intel)研究院副總裁、中國研究院院長宋繼強說：「前兩年用GPU訓練一個大規模的深度學習模型，其碳排放量相當於5台美式車整個生命週期產生的碳排量。」這也說明了AI運算力需求的貪婪，以及提供運算力的AI晶片不夠高效。

不過作為產業的底層驅動力，半導體製造技術仍源源不斷地為AI發展提供推力。本文將討論WAIC晶片論壇上聽到，針對這個問題的一些前瞻性解決方案——有些已經實現，有些則可能有待時代驗證。

XPU、摩爾定律和異質整合

「電腦產業中的貝爾定律，是說能效每提高1,000倍，就會衍生出一種新的運算形態。」中科院院士劉明在論壇上說，「若每瓦功耗只能支撐1KOPS的運算，當時的這種運算形態是超算；到了智慧型手機時代，能效就提高到每瓦1TOPS；未來的智慧終端我們要達到每瓦1POPS。 這對IC提出了非常高的要求，如果依然沿著CMOS這條路去走，當然可以，但會比較艱辛。」

針對性能和效率提升，除了尺寸微縮，半導體產業比較常見的思路是電晶體結構、晶片結構、材料等方面的最佳化，以及處理架構的革新。

(1)AI晶片本身其實就是對處理器架構的革新，從運算架構的層面來看，針對不同的應用方向造不同架構的處理器是常規，更專用的處理器能促成效率和性能的成倍增長，而不需要依賴於電晶體尺寸的微縮。比如GPU、神經網路處理器(NPU，即AI處理器)，乃至更專用的ASIC出現，都是這類思路。

CPU、GPU、NPU、FPGA等不同類型的晶片各司其職，Intel這兩年一直在推行所謂的「XPU」策略就是用不同類型的處理器去做不同的事情，「整合起來各取所需，用組合拳會好過用一種武器去解決所有問題。」宋繼強說。Intel的晶片產品就涵蓋了幾個大類，Core CPU、Xe GPU，以及透過收購獲得的AI晶片Habana等。

另外針對不同類型的晶片，可能還有更具體的最佳化方案。如當代CPU普遍加入AVX512指令，本質上是特別針對深度學習做加強。「專用」的不一定是處理器，也可以是處理器內的某些特定單元，甚至固定功能單元，就好像GPU中加入專用的光線追蹤單元一樣，這是當代處理器普遍都在做的一件事。

(2)從電晶體、晶片結構層面來看，電晶體的尺寸現在仍然在縮減過程中，只不過縮減幅度相比過去變小了——而且為緩解電晶體性能的下降，需要有各種不同的技術來輔助尺寸變小。比如說在22nm節點之後，電晶體變為FinFET結構，在3nm之後，電晶體即將演變為Gate All Around FET結構。最終會演化為互補FET (CFET)，其本質都是電晶體本身充分利用Z軸，來實現微縮性能的提升。

劉明認為，「除了基礎元件的變革，IC現在的發展還是比較多元化，包括新材料的引進、元件結構革新，也包括微影技術。長期賴以微縮的基本手段，現在也在發生巨大的變化，特別是未來3D的異質整合。這些多元技術的協同發展，都為晶片整體性能提升帶來了很好的增益。」

他並指出，「從電晶體級、到晶圓級，再到晶片堆疊、引線接合(lead bonding)，精準度從毫米向奈米演進，互連密度大大提升。」從晶圓/裸晶的層面來看，則是眾所周知的朝more than moore’s law這樣的路線發展，比如把兩片裸晶疊起來。現在很熱門的chiplet技術就是比較典型的並不依賴於傳統電晶體尺寸微縮，來彈性擴展性能的方案。

台積電和Intel這兩年都在大推將不同類型的裸晶，異質整合的技術。2.5D封裝方案典型如台積電的CoWoS，Intel的EMIB，而在3D堆疊上，Intel的Core LakeField晶片就是用3D Foveros方案，將不同的裸晶疊在一起，甚至可以實現兩片運算裸晶的堆疊、互連。

之前的文章也提到過AMD剛發佈的3D V-Cache，將CPU的L3 cache裸晶疊在運算裸晶上方，將處理器的L3 cache大小增大至192MB，對儲存敏感延遲應用的性能提升。相比Intel，台積電這項技術的獨特之處在於裸晶間是以混合接合(hybrid bonding)的方式互連，而不是micro-bump，做到更小的打線間距，以及晶片之間數十倍通訊性能和效率提升。

這些方案也不直接依賴傳統的電晶體微縮方案。這裡實際上還有一個方面，即新材料的導入專家們沒有在論壇上多說，本文也略過不談。

1,000倍的性能提升

劉明談到，當電晶體微縮的空間沒有那麼大的時候，產業界傾向於採用新的策略來評價技術——「PPACt」——即Powe r(功耗)、Performance (性能)、Cost/Area-Time (成本/面積-時間)。t指的具體是time-to-market，理論上應該也屬於成本的一部分。

電晶體微縮方案失效以後，「多元化的技術變革，依然會讓IC性能得到進一步的提升。」劉明說，「根據預測，這些技術即使不再做尺寸微縮，也會讓IC的晶片性能做到500~1,000倍的提升，到2035年實現Zetta Flops的系統性能水準。且超算的發展還可以一如既往地前進；單裸晶儲存容量變得越來越大，IC依然會為產業發展提供基礎。」

500~1,000倍的預測來自DARPA，感覺有些過於樂觀。因為其中的不少技術存在比較大的邊際遞減效應，而且有更實際的工程問題待解決，比如運算裸晶疊層的散熱問題——即便業界對於這類工程問題的探討也始終在持續。

不過1,000倍的性能提升，的確說明摩爾定律的終結並不能代表第三次科技革命的終結，而且還有相當大的發展空間。尤其本文談的主要是AI晶片，而不是更具通用性的CPU。

矽光、記憶體內運算和神經型態運算

在非傳統發展路線上(以上內容都屬於半導體製造的常規思路)，WAIC晶片論壇上宋繼強和劉明都提到了一些頗具代表性的技術方向(雖然這可能與他們自己的業務方向或研究方向有很大的關係)。這些技術可能尚未大規模推廣，或者仍在商業化的極早期。

(1)近記憶體運算和記憶體內運算：處理器性能和效率如今面臨的瓶頸，很大程度並不在單純的運算階段，而在資料傳輸和儲存方面——這也是共識。所以提升資料的傳輸和存取效率，可能是提升整體系統性能時，一個非常靠譜的思路。

這兩年市場上的處理器產品用「近記憶體運算」(near-memory computing)思路的，應該不在少數。所謂的近記憶體運算，就是讓儲存(如cache、memory)單元更靠近運算單元。CPU的多層cache結構(L1、L2、L3)，以及電腦處理器cache、記憶體、硬碟這種多層儲存結構是常規。而「近記憶體運算」主要在於究竟有多「近」，cache記憶體有利於隱藏當代電腦架構中延遲和頻寬的局限性。

這兩年在近記憶體運算方面比較有代表性的，一是AMD——比如前文提到3D V-cache增大處理器的cache容量，還有其GPU不僅在裸晶內導入了Infinity Cache這種類似L3 cache的結構，也更早應用了HBM2記憶體方案。這些實踐都表明，儲存方面的革新的確能帶來性能的提升。

另外一個例子則是Graphcore的IPU處理器：IPU的特點之一是在裸晶內堆了相當多的cache資源，cache容量遠大於一般的GPU和AI晶片——也就避免了頻繁的訪問外部儲存資源的操作，極大提升頻寬、降低延遲和功耗。

近記憶體運算的本質仍然是馮紐曼架構(Von Neumann architecture)的延續。「在做處理的過程中，多層級的儲存結構，資料的搬運不僅僅在處理和儲存之間，還在不同的儲存層級之間。這樣頻繁的資料搬運帶來了頻寬延遲、功耗的問題。也就有了我們經常說的運算體系內的儲存牆的問題。」劉明說。

構建非馮(non-von Neumann)架構，把傳統的、以運算為中心的馮氏架構，變換一種新的運算範式。把部分運算力下推到儲存。這便是記憶體內運算(in-memory computing)的概念。

記憶體內運算的就現在看來還是比較新，也有稱其為「存算一體」。通常理解為在記憶體中嵌入演算法，儲存單元本身就有運算能力，理論上消除資料存取的延遲和功耗。記憶體內運算這個概念似乎這在資料爆炸時代格外醒目，畢竟可極大減少海量資料的移動操作。

其實記憶體內運算的概念都還沒有非常明確的定義。現階段它可能的內涵至少涉及到在儲記憶體內部，部分執行資料處理工作；主要應用於神經網路(因為非常契合神經網路的工作方式)，以及這類晶片具體的工作方法上，可能更傾向於神經型態運算(neuromorphic computing)。

對於AI晶片而言，記憶體內運算的確是很好的思路。一般的GPU和AI晶片執行AI負載時，有比較頻繁的資料存取操作，這對性能和功耗都有影響。不過記憶體內運算的具體實施方案，在市場上也是五花八門，早期比較具有代表性的Mythic導入了一種矩陣乘的儲存架構，用40nm嵌入式NOR，在儲記憶體內部執行運算，不過替換掉了數位週邊電路，改用類比的方式。在陣列內部進行模擬運算。這家公司之前得到過美國國防部的資金支援。

劉明列舉了近記憶體運算和記憶體內運算兩種方案的例子。其中，近記憶體運算的這個方案應該和AMD的3D V-cache比較類似，把儲存裸晶和運算裸晶疊起來。

劉明指出，「這是我們最近的一個工作，採用hybrid bonding的技術，與矽通孔(TSV)做比較，hybrid bonding功耗是0.8pJ/bit，而TSV是4pJ/bit。延遲方面，hybrid bonding只有0.5ns，而TSV方案是3ns。」台積電在3D堆疊方面的領先優勢其實也體現在hybrid bonding混合鍵合上，前文也提到了它具備更高的互連密度和效率。

另外這套方案還將DRAM刷新頻率提高了一倍，從64ms提高至128ms，以降低功耗。「應對刷新率變慢出現拖尾bit，我們引入RRAM TCAM索引這些tail bits」劉明說。

記憶體內運算方面，「傳統運算是用布林邏輯，一個4位元的乘法需要用到幾百個電晶體，這個過程中需要進行資料來回的移動。記憶體內運算是利用單一元件的歐姆定律來完成一次乘法，然後利用基爾霍夫定律完成列的累加。」劉明表示，「這對於今天深度學習的矩陣乘非常有利。它是原位的運算和儲存，沒有資料搬運。」這是記憶體內運算的常規思路。

「無論是基於SRAM，還是基於新型記憶體，相比近記憶體運算都有明顯優勢，」劉明認為。下圖是記憶體內運算和近記憶體運算，精準度、能效等方面的對比，記憶體內運算架構對於低精準度運算有價值。

下圖則總結了業內主要的一些記憶體內運算研究，在精確度和能效方面的對應關係。劉明表示，「需要高精確度、高運算力的情況下，近記憶體運算目前還是有優勢。不過記憶體內運算是更新的技術，這幾年的進步也非常快。」

去年阿里達摩院發佈2020年十大科技趨勢中，有一個就是存算一體突破AI算力瓶頸。不過記憶體內運算面臨的商用挑戰也一點都不小。記憶體內運算的通常思路都是類比電路的運算方式，這對記憶體、運算單元設計都需要做工程上的考量。與此同時這樣的晶片究竟由誰來造也是個問題：是記憶體廠商，還是數文書處理器廠商？(三星推過記憶體內運算晶片，三星、Intel垂直整合型企業似乎很適合做記憶體內運算…)

(2)神經型態運算：神經型態運算和記憶體內運算一樣，也是新興技術的熱門話題，這項技術有時也叫作compute in memory，可以認為它是記憶體內運算的某種發展方向。神經型態和一般神經網路AI晶片的差異是，這種結構更偏「類人腦」。

進行神經型態研究的企業現在也逐漸變得多起來，劉明也提到了AI晶片「最終的理想是在結構層次模仿腦，元件層次逼近腦，功能層次超越人腦」的「類腦運算」。Intel是比較早關注神經型態運算研究的企業之一。

傳說中的Intel Loihi就是比較典型存算一體的架構，「這片裸晶裡面包含128個小核心，每個核心用於模擬1,024個神經元的運算結構。」宋繼強說，「這樣一塊晶片大概可以類比13萬個神經元。我們做到的是把768個晶片再連起來，構成接近1億神經元的系統，讓學術界的夥伴去試用。」

「它和深度學習加速器相比，沒有任何浮點運算——就像人腦裡面沒有乘加器。所以其學習和訓練方法是採用一種名為spike neutral network的路線，功耗很低，也可以訓練出做視覺辨識、語言辨識和其他種類的模型。」宋繼強認為，不採用同步時脈，「刺激的時候就是一個非同步電動勢，只有工作部分耗電，功耗是現在深度學習加速晶片的千分之一。」

「而且未來我們可以對不同區域做劃分，比如這兒是視覺區、那兒是語言區、那兒是觸覺區，同時進行多模態訓練，互相之間產生關聯。這是現在的深度學習模型無法比擬的。」宋繼強說。這種神經型態運算晶片，似乎也是Intel在XPU方向上探索不同架構運算的方向之一。

(2)微型化矽光：這個技術方向可能在層級上更偏高了一些，不再晶片架構層級，不過仍然值得一提。去年Intel在Labs Day上特別談到了自己在矽光(Silicon Photonics)的一些技術進展。其實矽光技術在連接資料中心的交換機方面，已有應用了，發出資料時，連接埠處會有個收發器把電訊號轉為光訊號，透過光纖來傳輸資料，另一端光訊號再轉為電訊號。不過傳統的光收發器成本都比較高，內部元件數量大，尺寸也就比較大。

Intel在整合化的矽光(IIIV族monolithic的光學整合化方案)方面應該是商業化走在比較前列的，就是把光和電子相關的組成部分高度整合到晶片上，用IC製造技術。未來的光通訊不只是資料中心機架到機架之間，也可以下沉到板級——就跟現在傳統的電I/O一樣。電互連的主要問題是功耗太大，也就是所謂的I/O功耗牆，這是這類微型化矽光元件存在的重要價值。

這其中存在的技術挑戰還是比較多，如做資料的光訊號調變的調變器調變器，據說Intel的技術使其實現了1,000倍的縮小；還有在接收端需要有個探測器(detector)轉換光訊號，用所謂的全矽微環(micro-ring)結構，實現矽對光的檢測能力；波分複用技術實現頻寬倍增，以及把矽光和CMOS晶片做整合等。

Intel認為，把矽光模組與運算資源整合，就能打破必須帶更多I/O接腳做更大尺寸處理器的這種趨勢。矽光能夠實現的是更低的功耗、更大的頻寬、更小的接腳數量和尺寸。在跨處理器、跨伺服器節點之間的資料互動上，這類技術還是頗具前景，Intel此前說目標是實現每根光纖1Tbps的速率，並且能效在1pJ/bit，最遠距離1km，這在非本地傳輸上是很理想的數字。

還有軟體…

除了AI晶片本身，從整個生態的角度，包括AI感知到運算的整個鏈條上的其他組成部分，都有促成性能和效率提升的餘地。比如這兩年Nvidia從軟體層面，針對AI運算的中間層、庫做了大量最佳化。相同的底層硬體，透過軟體最佳化就能實現幾倍的性能提升。

宋繼強說，「我們發現軟體最佳化與否，在同一個硬體上可以達到百倍的性能差距。」這其中的餘量還是比較大。

在AI開發生態上，雖然Nvidia是最具發言權的；但從戰略角度來看，像Intel這種研發CPU、GPU、FPGA、ASIC，甚至還有神經型態運算處理器的企業而言，不同處理器統一開發生態可能更具前瞻性。Intel有個稱oneAPI的軟體平台，用一套API實現不同硬體性能埠的對接。這類策略對廠商的軟體框架構建能力是非常大的考驗——也極大程度關乎底層晶片的執行效率。

在摩爾定律放緩、電晶體尺寸微縮變慢甚至不縮小的前提下，處理器架構革新、異質整合與2.5D/3D封裝技術依然可以達成1,000倍的性能提升；而一些新的技術方向，包括近記憶體運算、記憶體內運算和微型矽光，能夠在資料訪存、傳輸方面產生新的價值；神經型態運算這種類腦運算方式，是實現AI運算的目標；軟體層面的最佳化，也能夠帶動AI性能的成倍增長。所以即便摩爾定律嚴重放緩，AI晶片的性能、效率提升在上面提到的這麼多方案加持下，終將在未來很長一段時間內持續飛越。這第三(四)次科技革命恐怕還很難停歇。

資料來源：https://www.eettaiwan.com/20210726nt61-ai-computing/?fbclid=IwAR3BaorLm9rL2s1ff6cNkL6Z7dK8Q96XulQPzuMQ_Yky9H_EmLsBpjBOsWg

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理由是金屬與摻雜物在此高溫下會在基板中擴散，因而破壞下方的IC區域。第二種方法是混合鍵合技術(hybrid bonding)，利用雙鑲嵌銅和氧化矽的混合介面作為全區的鍵合 ...

#2. Bumps Vs. Hybrid Bonding For Advanced Packaging

“Direct hybrid bonding refers to molecular bonding of two surfaces composed of copper interconnections within an SiO2 matrix. When these two ...

#3. 封裝密度要求續提高，晶片互連朝混合鍵合技術發展 - MoneyDJ

... 技術是晶片間的溝通橋梁，從傳統的打線(wire bond)、覆晶封裝(FC)、微凸 ... 因應晶片朝更高密度整合趨勢，混合鍵合(hybrid bonding)將成新方案。

#4. Fusion and Hybrid Bonding - EV Group

Hybrid bonding extends fusion bonding with embedded metal pads in the bond interface, allowing for face-to-face connection of wafers.

#5. Hybrid Bonding: From Concept to Commercialization - 3D ...

For the context of this interview, hybrid bonding is defined as a permanent bond that combines a dielectric bond with embedded metal to form ...

#6. 台實實業推廣三維奈米架構解決Hybrid Bonding與熱處理難題

全球半導體製程已經進入到三奈米的競爭，隨著半導體元件尺寸微型化加劇，越來越接近物理極限，研發新一代高效能元件是產業界發展的顯學，宛如軍備競賽 ...

#7. Wafer-to-wafer hybrid bonding technology for 3D IC - IEEE ...

Abstract: In this research, the wafer-level metal/adhesive hybrid bonding technology was developed to perform the 3D integration platform.

#8. Hybrid Bonding | SpringerLink

Hybrid bonding (that combines a dielectric bond with a metal bond to form an interconnection) is very different from Cu–Cu TCB.

#9. Hybrid bonding for 3D stacked image sensors: impact of pitch ...

the influence of hybrid bonding pitch shrinkage on a 3D stacked backside illuminated CMOS image sensor was performed from a process, device performance and.

#10. 英特尔推出Hybrid Bonding技术推进高端封装演进 - OFweek ...

到Foveros封装时，英特尔将芯片堆叠在一起，实现横向和纵向的互连，凸点间距大概是50微米。未来，英特尔将通过采用Hybrid Bonding（有两种翻译：混合键合 ...

#11. 3D封裝不是夢，就靠奈米雙晶銅

在異質接合(hybrid bonding)中主要分為聚亞醯胺(PI)/銅及非導電膠(NCP)/銅兩種接合製程，在聚亞醯胺(PI)/銅之異質接合製程中，採真空熱壓接合方式進行 ...

#12. Sub-10um Pitch Hybrid Direct Bond Interconnect ... - OSTI.GOV

Keywords-fine-pitch interconnects; hybrid bonding; direct bond interconnect; Cu-Cu bonding; CMP. I. INTRODUCTION. The drive for increased chip performance ...

#13. Three-dimensional hybrid bonding integration challenges and ...

A second part is devoted to the specific developments for three-layer wafer-to-wafer stacking with multi-pitch design. (1-4 μm) of the hybrid bonding layer. The ...

#14. Hybrid bonding應用於晶片對晶圓組裝 - 解密科技寶藏

Hybrid bonding 應用於晶片對晶圓組裝. 創造高精度晶片間的超級細接點. 技術簡介. 本技術將複合接點技術成功應用於半導體覆晶封裝之晶片對晶圓接合，捨棄微銲錫接點與底 ...

#15. hybrid bonding - WikiChip Fuse

With hybrid bonding inching towards production, here's a look at Trishul, Arm's first exploratory test chip – in collaboration with GlobalFoundries – that ...

#16. hybrid bonding | Applied Materials Blog

hybrid bonding. Semiconductors · The Fourth Era of Computing Needs More than Advanced Logic and Memory Chips. by Sundar Ramamurthy, Ph.D.

#17. (Hybrid) bonding | Micronit

Wafer bonding is a key technology in the fabrication process of lab-on-a-chip devices. Especially now microfluidic devices gain in on-chip complexity, ...

#18. Hybrid Bonding - patent landscape - KnowMade

It's become known industry-wide as direct bond interconnect, or DBI from Xperi/Invensas. Hybrid bonding. • Copper pads on both wafers (upper & lower ones). • ...

#19. Low-Temperature Co-hydroxylated Cu/SiO2 Hybrid Bonding ...

Cu/SiO2 hybrid bonding with planarized dielectric and isolated metal connections can realize ultradense interconnects (e.g., ...

#20. 三維異質整合技術之低溫混合接合於發光二極體元件應用

Wafer bonding technique is one of the key technologies in 3D-IC applications. ... Low Temperature Hybrid Bonding with 3D IC Heterogeneous Integration for ...

#21. XBS300 Hybrid Bonder | SUSS MicroTec

The XBS300 is designed for (hybrid) fusion bonding of aligned 200 mm and 300 mm wafers. It allows for both collective D2W (die-to-wafer) and W2W ...

#22. (PDF) Cu/SiO2 hybrid bonding obtained by surface-activated ...

PDF | The hybrid bonding technique, used for the bonding of metal-electrode and insulator hybrid interfaces with a high alignment accuracy, is very.

#23. hybrid bonding在線翻譯 - 海词词典

海詞詞典,最權威的學習詞典,為您提供hybrid bonding的在線翻譯,hybrid bonding是什麼意思,hybrid bonding的真人發音,權威用法和精選例句等。

#24. An Advanced CuCu Hybrid Bonding For Novel Stacked CMOS ...

Abstract—We have successfully introduced the advanced CuCu hybrid bonding to the novel stacked back-illuminated CMOS image sensors. (BI-CIS).

#25. Application Engineer Hybrid Bonding (w/m/d) - Amicra

Application Engineer Hybrid Bonding (w/m/d). ASM AMICRA Microtechnologies GmbH, headquartered in Regensburg, is a worldwide leading supplier for ultra-high ...

#26. Partnership between SUSS MicroTec and SET to develop a ...

SUSS MicroTec and SET announce a partnership in sequential die-to-wafer (D2W) hybrid bonding, a die-based interconnect technology, to provide a fully ...

#27. Evaluation of hybrid bonding technology of single-micron pitch ...

Cu/Sn microbumps and NCF was simultaneously planarized by CMP. •. The bonding of 8-μm pitch microbumps and filling of NCF were achieved by hybrid bonding.

#28. Hybrid Bonding Systems and Methods for Semiconductor ...

In one embodiment, a hybrid bonding system for semiconductor wafers includes a chamber and a plurality of sub-chambers disposed within the chamber. A robotics ...

#29. 300-mm Wafer-to-Wafer Direct Hybrid Bonding with 1µm Pitch

EV Group (EVG) and Leti announced the world's first successful 300-mm wafer-to-wafer direct hybrid bonding with pitch dimension connections as small as 1µm ...

#30. Hybrid Bonding of Via-middle TSV Wafer Fabricated using ...

We performed hybrid bonding of a via-middle through-silicon via (TSV) wafer that was fabricated using direct Si/Cu grinding, residual metal ...

#31. Wafer-to-wafer hybrid bonding technology for 3D IC - 國立陽明 ...

In this research, the wafer-level metal/adhesive hybrid bonding technology was developed to perform the 3D integration platform.

#32. 應材推「異質整合」三項新技術攜手EVG簽訂聯合開發協議

同時也與產業合作夥伴益高科技(EVG)攜手開發新解決方案，協同最佳化晶圓對晶圓混合鍵合(Hybrid Bonding)解決方案。(台灣應材,EVG)

#33. Hybrid bonding, an enabling technology, from CMOS Image ...

Hybrid bonding technology consists of directly stacking two wafers that have a planarized surface of dielectric with isolated copper ...

#34. Low-Temperature Co-hydroxylated Cu/SiO 2 Hybrid Bonding ...

Cu/SiO 2 hybrid bonding with planarized dielectric and isolated metal connections can realize ultradense interconnects (e.g., ...

#35. Hybrid Bonding Configuration - Huawei Technical Support

AR120, AR150, AR160, AR200, AR1200, AR2200, AR3200, and AR3600 V200R007 CLI-based Configuration Guide - VPN. This document describes the VPN configuration ...

#36. Low Temperature Cu Interconnect with Chip to Wafer Hybrid ...

Direct Bond Interconnect technology, also known as low temperature hybrid bonding, forms a spontaneous dielectric-to-dielectric bond at room temperature and ...

#37. Hybrid Bonding Patent Landscape - MarketResearch.com

Hybrid Bonding Patent Landscape Hybrid Bonding Patent Landscape Generally, 2.5D-3D stacking was achieved thanks to Through Silicon Via (TSV) technology.

#38. Test and characterization of 3D high-density interconnects

Thereafter, the hybrid bonding level is deposited using a double damascene process; in this approach, two wafers/ dies modified to ensure very ...

#39. Applied Materials and BE Semiconductor Industries to

Hybrid bonding is a major improvement over conventional chip packaging because it permits increased chip density and shortens the lengths of the ...

#40. Collective Hybrid Bonding for 3D IC Stacks - Solid State ...

This process is defined as hybrid bonding. The polymer layer mechanically stabilizes the extremely thin top die after bonding and carrier release, and also ...

#41. YMTC Licenses Xperi's Hybrid Bonding Technology

Xperi has licensed its Direct Bond Interconnect (DBI) hybrid bonding portfolio to YMTC for its 3D NAND memory products.

#42. Xperi Licenses Hybrid Bonding Technology to Yangtze ...

Direct Bond Interconnect (DBI ® ) hybrid bonding portfolio licensed to YMTC for its 3D NAND memory products. SAN JOSE, Calif., October 12, ...

#43. Hybrid Bonding Sealant - TopShield

Product Description: TopShield® Hybrid Bonding Sealant is a one-component bonding sealant specifically designed for roofing applications and systems.

#44. Direct bonding - Wikipedia

Direct bonding, or fusion bonding, describes a wafer bonding process without any additional intermediate layers. The bonding process is based on chemical ...

#45. 英特爾推出Hybrid Bonding技術推進高階封裝演進_騰訊科技

Hybrid Bonding 與Foveros 技術所實現的焊接有諸多區別。 混合鍵合技術使電介質的晶片非常光滑，而不是有一個突出的凸點。實際上，還會有 ...

#46. 台積電、Intel、三星等巨頭爭相研發3D封裝關鍵技術：太難了

代工廠、設備供應商、研發機構等都在研發一種稱之為銅混合鍵合（Hybrid bonding）製程，這項技術正在推動下一代2.5D和3D封裝技術。

#47. Hybrid bonding with through substrate via (TSV) - Patentscope

US20180286846 - Hybrid bonding with through substrate via (TSV) ... The semiconductor device structure includes a bonding structure formed between a first ...

#48. 牙e部落客| WET BONDING的前世與今生以及hybrid layer 之死

看完了上一篇，會不會有很多人覺得total etching+ wet bonding，讓bonding形成hybrid layer把collagen fiber完全包覆住，就一切ok了像這樣:.

#49. Wafer Level Fine-Pitch Hybrid Bonding: Challenges and ...

Fine-pith hybrid bonding has been demonstrated using 3μm Cu pad size and 6μm pitch. TEOS SiO2 is used as a dielectric material.

#50. Ontos Equipment Systems joined the C2W Hybrid Bonding ...

MEMBERS OF THE CHIP-TO-WAFER HYBRID BONDING CONSORTIUM: A*STAR's Institute of Microelectronics; ASM Pacific (Hong Kong) Ltd; Capcon Singapore ...

#51. Applied Materials improves die-to-wafer ... - Electronics Weekly

The development is improved software modelling and simulation for die-to-wafer hybrid bonding – which uses direct copper-to-copper ...

#52. DATA MODUL is a pioneer of hybrid bonding

DATA MODUL IS A PIONEER OF HYBRID BONDING ... etc., DATA MODUL is extending its offer of bonding technologies with an additional process: ...

#53. Hybrid Bonding of FRP to Reinforced Concrete Structures

Experimental tests demonstrated that the bond strength with this new hybrid bonding technology was 7.5 times that of conventional adhesive ...

#54. EV GROUP unveils hybrid die-to-wafer bonding activation ...

Wafer-to-wafer (W2W) hybrid bonding, which involves stacking and electrically connecting wafers from different production lines, is a central ...

#55. Hybrid Bonding Expands from Image Sensors to Logic, Memory

Hybrid bonding went into volume production after Sony licensed the Zibond technology from Ziptronix (now part of Xperi) and introduced it almost ...

#56. Hybrid Bonding Patent Landscape Analysis - AP News

Hybrid Bonding Patent Landscape Analysis - After Entering the Cmos Image Sensor (CIS) Market in 2016, Hybrid Bonding Technology Has Started to ...

#57. Hybrid Bonding & Fixing Adhesives - Sealants Online

A great selection of newer technology, polymer-based, hybrid adhesives for use in bonding applications.

#58. ASM Pacific Technology and EV Group Join Forces to Enable ...

Hybrid bonding involving wafer-to-wafer as well as die-to-wafer integration is a necessary process step to support heterogeneous integration.

#59. Fine-pitch hybrid bonding with Cu/Sn microbumps and ...

In this study, we developed single-pitch hybrid bonding technology for high density 3D integration. To realize the single-pitch, ...

#60. Hybrid bonding TSMC > 3D IC晶圓接合製程技術與設備概述

Hybrid bonding TSMC,透過最佳化製程的接合溫度、接合壓力與時間完成高接合面積(Bonding. Area)成效，甚至... 接合對準的精密準確度將縮小達到500nm 內，如此才能精準 ...

#61. Wafer-level hybrid bonding is a crucial technology for MEMS ...

Wafer-level hybrid bonding is a crucial technology for MEMS and microfluidics · Jeroen Haneveld, business manager, Micronit Microtechnologies.

#62. Known Good Dies (KGD) strategies compatible with Direct ...

Die-To-Wafer (D2W) direct hybrid bonding process, using copper/oxide mix interfaces, is identified by major microelectronic industrials as essential for the ...

#63. 【Hybrid bonding wiki】資訊整理& hybrid bonding中文相關消息

Hybrid bonding wiki,3D IC晶圓接合製程技術與設備概述- 金屬工業研究發展中心,接合對準的精密準確度將縮小達到500nm 內，如此才能精準地完成混合式晶圓接合(Hybrid.

#64. ctw-consortium_media-factsheet_15feb-final.pdf - Agency for ...

COMPANIES IN CHIP-TO-WAFER HYBRID BONDING CONSORTIUM. 11 February 2021. A*STAR's Institute of Microelectronics (IME) has partnered leading semiconductor.

#65. Leti pushes 300mm wafer-to-wafer hybrid bonding to 1µm ...

"To our knowledge, this is the first reported demonstration of sub-1.5µm pitch copper hybrid bonding feasibility," said Frank Fournel, ...

#66. Research of Wafer Level Bonding Process Based on Cu–Sn ...

Abstract: In 3D-system packaging technologies, eutectic bonding is ... H-containing HCOOH vapor treatment for Cu/Adhesive hybrid bonding at ...

#67. Hybrid Bonding Review - F4News

"Hybrid bonding went into volume production after Sony licensed the Zibond technology from Ziptronix (now part of Xperi) and introduced it ...

#68. SUSS MicroTec and SET Form a Hybrid Bonding Partnership

Pascal Metzger, CEO of SET, says: “Thanks to several partnerships we had & our more than 10 years experience in hybrid bonding, we have ...

#69. 英特尔推出Hybrid Bonding技术推进高端封装演进 - 腾讯网

Hybrid Bonding 技术颠覆焊接技术. 英特尔今年曾在ECTC 上发表关于混合键合技术的论文。Johanna Swan介绍，混合键合技术是一种在相互堆叠的芯片之间 ...

#70. Cu/Dielectric Hybrid Bonding by Using Combined Surface ...

Cu/dielectric (SiO2 or SiNx) hybrid bonding at low temperatures of no more than 200 °C is in high ... Low-temperature wafer bonding is one of key enabling.

#71. hybrid bonding | NHanced Semiconductors, Inc.

Hybrid Bonding in the News ... DBI® hybrid bonding is a leading force in advanced packaging. Continue reading. Search for: ...

#72. Hybrid Wafer Bonding: A 3D approach to boosting device ...

Hybrid wafer bonding technology allows repeated alignment of two surfaces of 110 square inches each with a precision 500 times smaller than ...

#73. Sebastian Professional No.Breaker Hybrid Bonding and ...

Buy Sebastian Professional No.Breaker Hybrid Bonding and Styling Leave-in Spray 100ml online at Gorgeous Shop. Authorised Sebastian Professional stockist.

#74. Leti (english) - Leti Demonstrates World's First 300-mm Wafer ...

New pitch record in copper hybrid bonding with outstanding wafer-to-wafer overlay accuracy represents a breakthrough in enabling 3D ...

#75. EV Group Unveils Hybrid Die-To-Wafer ... - PR Newswire

Leveraging EVG's decades of experience in hybrid bonding technology, the EVG320 D2W fills a critical need for innovative process solutions that ...

#76. No.Breaker Hybrid Bonding and Styling Leave-in Spray

A strengthening hair spray. Break up with damaged hair with the Sebastian No.Breaker, a hybrid care and styling product that repairs, strengthens and ...

#77. Heterogeneous Integration with Collective Die-to-wafer Hybrid ...

EV Group, a core partner of Nanoelec consortium, successfully demonstrates end-to-end process flow for collective die-to-wafer bonding with ...

#78. Intel Architecture Day 2020 Packaging Hybrid Bonding On ...

Intel Architecture Day 2020 Packaging Hybrid Bonding On SRAM Stacks ... ServeTheHome is the IT professional's guide to servers, storage, networking, and high-end ...

#79. 英特爾推出Hybrid Bonding混合鍵合封裝技術 - 壹讀

英特爾推出Hybrid Bonding混合鍵合封裝技術 ... 英特爾近些年在CPU製造工藝上遇到瓶頸停滯不前，但這Intel在晶片封裝工上也是沒有停下步伐，近些年也是推出 ...

#80. Hybrid bonding methods for lower temperature 3 d integration 1

Overview of primary 3D bonding processes * Mechanics of metal bonding options * Mechanics for hybrid bond materials * Process requirement comparisons ...

#81. 英特尔推出Hybrid Bonding技术推进高端封装演进 - 网易

Hybrid Bonding 与Foveros 技术所实现的焊接有诸多区别。 混合键合技术使电介质的芯片非常光滑，而不是有一个突出的凸点。实际上，还会有 ...

#82. 混合連接的專利形勢

Hybrid Bonding Patent Landscape ... 本報告選擇混合連接相關290件以上的專利家庭及發明，提供目前IP形勢趨勢、動態概要，使用或開發混合連接的主要的IP ...

#83. Chemisorption of hydrogen on Fe clusters through hybrid ...

The bonding of Fe-H in FeH clusters consists of charge transfer and electron pairing. Thus, two types of bondings are involved. The bond mechanism is general in ...

#84. The People Who Make DBI Possible - Xperi

In the world of heterogeneous integration, hybrid bonding — and in particular, Direct Bond Interconnect (DBI®) is quickly becoming the ...

#85. Three-dimensional hybrid bonding integration ... - X-MOL

Three-dimensional hybrid bonding integration challenges and solutions toward multi-wafer stacking · MRS Communications ( IF 2.566 ) Pub Date ...

#86. 由Intel的Hybrid Bonding聊一聊3D封装芯片的那些事儿 - 知乎专栏

具体台积电的SoIC和Intel的Hybrid Bonding到底谁比较厉害，我倒是不知道，但是不会相差太大吧。 和TSMC+AMD一样，Intel这边也是在叠加SRAM，相关的测试 ...

#87. 3DIC Design, Implementation, and (especially) Test - SemiWiki

The hybrid bonding technology from GLOBALFOUNDRIES was demonstrated to be highly manufacturable – characterization of the interconnect test ...

#88. Leti Demonstrates World's First 300 mm Wafer-to ... - LEDinside

EV Group (EVG), a supplier of wafer bonding and lithography equipment for the MEMS, ... The copper/oxide hybrid bonding process, a key enabler for 3D ...

#89. Cu-SiO 2 Hybrid Bonding - KoreaScience

As copper bonding evolves, copper-oxide hybrid bonding is considered as the most promising bonding process for vertically stacked device structure. This paper ...

#90. Thriving Besi partners with Applied for die-based hybrid bonding

Hybrid bonding is considered to be a major improvement over conventional chip packaging because it permits increased chip density and shortens ...

#91. Hybrid Bonding Technology Gives Grinding Tools a New Edge

Hybrid bonding technology combines the wear resistance of metal bonds with the porosity of vitrified bonds. The porous structure of the abrasive yields improved ...

#92. Novati to Showcase Positive Results of Hybrid Bonding at ...

3D integration dramatically improves device performance, and hybrid bonding is gaining traction as an advantageous technology for building 3D ...

#93. 2，Bonding的基本原理... - Dr. Wei Hung He Dental Studio

Dentin bonding：Dentin與resin之間的結合，藉由酸處理露出collagen fibers並由resin浸潤形成hybrid layer是dentin bond最基本的介面，然而常受限 ...

#94. GP應該懂的OD知識(初稿2-Bonding)

Total etching bonding：使用磷酸來酸蝕dentin再使用大量水來沖洗，露出dentin中的collagen fiber，再塗上bonding系統(可以為兩劑型或一劑型)來產生hybrid ...

#95. 2.2. Hybrid orbitals | Organic Chemistry 1: An open textbook

Now let's look more carefully at bonding in organic molecules, starting with methane, CH4. Recall the valence electron configuration of a carbon atom: This ...

#96. Hybrid Security Definition - Investopedia

Hybrid securities, often referred to as "hybrids," generally combine both debt and equity characteristics. The most common type of hybrid security is a ...

#97. sp³ hybridization | Hybrid orbitals | Chemical bonds (video)

#98. Semiconductor Wafer Bonding 10: Science, Technology, and ...

10.1149/1.2982906 ©The Electrochemical Society Hybrid Bonding (Plasma activation and Anodic bonding) for Vacuum Sealing Akira Yamauchi a, Johji Kagami b, ...