清華衛榮漢教授團隊研發 可磁場調控熱傳導之奈米線
奈米線熱傳導新突破!國立清華大學動機系衛榮漢教授研究團隊,發現藉由磁場變化,可以有效控制磁性奈米線的熱傳導特性,成功開發「可磁場調控熱傳導奈米線」。在目前能源逐漸耗竭及全球暖化的大趨勢下,此研究成果將可應用於奈米熱電元件的開發,有效地將電腦主機或汽車引擎排出的廢熱回收再利用,此最新研究成果,刊登於新一期的高影響力期刊「奈米通訊(Nano Letters)」。
衛榮漢教授表示,利用溫差發電,將「熱轉成電」是近來綠能新興領域,好的熱電材料「導電性要好、導熱性要差」,意即在高溫端不致因熱傳導而流失熱能到低溫端,最好能夠將高溫端的熱能都用來發電,但這種特質通常違反大部分物質的特性,例如金屬的導電性好,導熱性亦很好;塑膠等絕緣物質雖然其導熱性差,但導電性卻也極差,所以找到「導電性好、導熱性差」的熱電元件是目前工程及科學上遇到最大的瓶頸。
主要參與此項研究的黃晧庭博士表示,熱在物質中是以原子或晶格的振動形式展現。對於肉眼可見尺度的金屬材料,通常它的的導熱與導電性質,也就是熱傳導係數與電導率,存在一固定的正比關係,亦即導電越好的材質導熱亦越好。然而到了奈米尺度,由於物質內部負責傳熱的晶格振動波,容易被不完美的表面邊界回彈,此一固定比例關係就會變得無法成立,因此給了科學家一個新的發展空間。
這次的研究,發現在不影響磁性奈米線之導電特性的同時,利用磁場可以大幅度地降低奈米線的熱傳導,例如在不施加磁場時,發現磁性奈米線導熱性像鐵棒,施加磁場後,導熱性可能就變得像塑膠,這是在過去沒有發現過的。
「研究物質的熱傳導特性,不僅具有科學上的重要性,對於能源短缺浮上檯面的現今,開發可控制的熱傳導技術,將其應用在電子元件的散熱以及利用廢熱回收發電的熱電元件上,更具有迫切性。」衛榮漢教授指出,研究除可應用於廢熱回收或溫差發電的技術,有助提升熱電能源轉換效率,將工業或電子產品所散發出的廢熱轉換為電能,可望發展出價格低廉的綠色能源發電裝置。另外,也可用於改進未來3C產品的散熱,若能有效地對系統進行熱管理,不僅可以讓系統順利降溫,降低系統當機與停止運作的風險,還能讓能量回收再利用,增加能源的使用率。
https://www.youtube.com/watch?v=R8-BwNxgJhg&feature=youtu.be
金屬熱傳導係數 在 國立陽明交通大學電子工程學系及電子研究所 Facebook 八卦
交通大學材料系特聘教授暨奈米學士班主任陳智以及交通大學電子系教授暨國際半導體產業學院副院長陳冠能團隊,與美國UCLA杜經寧院士合作,在微電子封裝業的研究有重大突破。
2015-06-03 交大研發第五代高階電子封裝技術 低溫(150 oC)及低壓下之銅-銅直接接合
交通大學材料系特聘教授暨奈米學士班主任陳智以及交通大學電子系教授暨國際半導體產業學院副院長陳冠能團隊,與美國UCLA杜經寧院士合作,在微電子封裝業的研究有重大突破。團隊利用特殊電鍍技術,發展低溫低壓的銅銅接合技術,若未來進一步提升反應速度與均勻度,將有望取代銲錫,成為繼打線接合、捲帶自動接合、覆晶封裝技術、微凸塊/矽穿孔電鍍後的第五代電子封裝技術。
交通大學材料系特聘教授暨奈米學士班主任陳智表示,2012年團隊利用特殊電鍍技術,製備具有高度(111)優選方向的奈米雙晶銅金屬膜 (當時發表於Science期刊)。因為(111)面為最密堆積平面,其平面上的銅原子擴散速度較快的特性,團隊開始發展低溫低壓的銅銅接合技術,目前已經可以成功在一般真空環境(10-3 torr)下,以低溫(150 oC)低壓(小於1MPa)進行銅-銅接合,接合過程可在60分鐘內完成(如下圖)。此溫度已經遠低於一般無鉛銲錫迴銲的溫度,若將溫度提昇至250 oC,將可在十分鐘內接合完成,此一令人振奮的結果在銅-銅接合發展上,是一重大突破,並已發表於五月出版的科學報導(Scientific Reports)。
研究團隊表示,現今半導體界的發展乃跟隨著摩爾定律的曲線,但預期即將達到微影技術及材料的物理極限,無法再繼續微縮。而三微積體電路(3D IC)技術低耗能及高傳導的優點,被預期能使各大廠繼續維持在摩爾定律上的技術,並且能大幅減少元件尺寸。現今3D IC 技術中,因銲錫具有低熔點及製程簡單的優點,所以自1969年以來被廣泛應用於半導體元件中的接點,但在大家不斷追逐體積縮小的效應下,會造成機械性質較脆、導熱速度慢。因此,使用焊錫接點在3D IC的應用會引發許多可靠度的問題。
銅具有非常好的導電率與導熱係數,但因熔點為1083 oC,要將兩片銅膜直接接合有其難度。過去銅接合的研究指出可在超高真空(10-8 torr)的環境下,將兩片經過氬離子束表面活化且具有高平整度的銅膜,可在室溫且不需施加壓力的情況下做接合。但由於此方法需要超高真空(10-8 torr)的環境,對於業界來說所需耗費的成本過高。此外,也有研究提出可在一般的真空(10-3 torr)環境下,利用300oC的熱壓可接合兩片銅膜,但300oC的溫度對於業界實際應用來說溫度還是過高。除了熱預算對成本及可靠度的影響外,有些應用例如CMOS image sensor,希望其接合溫度能降低到200 oC以下。綜合以上所述,銅直接接合技術要能實際應用在業界,必須符合兩個要求: (1)一般的真空環境下(10-3 torr)、(2)接合溫度需低於300 oC。
交大研究團隊成功研發在一般真空環境(10-3 torr)下,以低溫(150 oC)低壓(小於1MPa)進行銅-銅接合,實為學術與產業界一大突破。更難能可貴的是,此一研究為台灣團隊主導,實驗也都在台灣完成,足以證明交大與台灣的研究水準具世界級競爭力。此技術已經獲得台灣發明專利,並同時申請美國及德國專利。
本研究是台灣團隊主導,研究水準具世界級競爭力
此研究由交通大學材料系陳智教授與電子系陳冠能教授領導,團隊成員包含交通大學材料系博士後研究員劉健民博士、蕭翔耀博士,與博士班學生劉道奇、林漢文、呂佳凌、黃以撒,碩士班學生呂典融,以及加州大學洛杉磯分校,同時也是中研院院士杜經寧教授等人,所有的實驗都在台灣完成。
秘書室
科學新知
http://nctunews.nctu.edu.tw/index.php/component/…/913-150-oc
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放心,這次我們沒有用牙膏。
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