當今的銅雙鑲嵌互連伴隨著氮化鉭(TaN)銅擴散阻障層和鈷底襯。當銅線變得越來越纖薄,酸性的銅化學物質可能蝕刻至底襯,從而使鍍銅與其下的TaN薄膜相互作用。由此產生的氧化鉭可能會產生隨機開路,從而降低產量。因此,半導體公司一直在尋找其他替代方案...
https://www.eettaiwan.com/…/20171213NT02-with-alkaline-chem…
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當今的銅雙鑲嵌互連伴隨著氮化鉭(TaN)銅擴散阻障層和鈷底襯。當銅線變得越來越纖薄,酸性的銅化學物質可能蝕刻至底襯,從而使鍍銅與其下的TaN薄膜相互作用。由此產生的氧化鉭可能會產生隨機開路,從而降低產量。因此,半導體公司一直在尋找其他替代方案...
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