婚宴終於圓滿結束，雖然是只有幾桌的小小家宴，但因為都是重要親友，所以準備的過程中也不能馬虎。
趁週末有時間，分享協助我們順利完成婚宴、每一個環節的重要關鍵，全部都是我們親自做功課選擇的，不是來找我們廣告的品牌喔！
順便提醒大家，最好都要提前一年預約，才有檔期可以安排喔！
1.婚紗攝影- Korean Artiz Studio
因為喜歡韓系簡單素雅的風格，所以很快就相中了這一家，從接待人員到禮服師、西服師都非常專業、親切，婚紗照等所有成品質感都非常棒，從最初洽詢到拍婚紗、借禮服⋯等，整個過程都非常開心！
婚宴當天的禮服則是藝匠贊助的，謝謝他們為我們帶來如此美好的回憶。
2.新秘- Queenie W. Makeup Studio
能預定到當Queenie老師的新娘超幸福！本來腦海中有好多喜歡的造型，但是愈看老師的作品，愈覺得可以完全放心把自己交給她，當天化妝的過程真的非常放鬆，真的很謝謝Queenie老師的專業，也很謝謝Annie的協助，很幸運能當妳們的新娘。
3.婚禮主持及演唱歌手- 張綺倫（綺綺）
關注綺綺很長一段時間，以往都在網路上聽綺綺發表的影片，後來到藍色狂想聽過現場後，更加確定婚宴要邀請她來演唱，讓親友們放鬆的聽歌、聊天、用餐。
也非常感謝Wendy和James，整個婚宴過程都很放心的把流程和演出交給他們，能邀請到他們是我們的榮幸。（他們還開我玩笑：「妳是專門喜歡叫綺綺的嗎？」XD）
4.婚禮佈置- 艾美喜帖婚禮 - 喜帖 婚禮小物 婚禮佈置 婚禮紀錄 艾美婚禮
因為喜歡白金系列的佈置，就開始由這個方向和艾美討論。非常謝謝小黑耐心來回和我們確認許多細節，小黑很專業，但也十分重視我們的想法，整場佈置和喜帖我們和親友都非常喜歡。
5.婚禮攝影- Life-Photography (BK Wang)
第一眼看見BK的作品就被深深吸引，真的是一見鍾情的程度。無論是哪一種場地和造型，BK都可以拍出自己的風格，我已經徹底由新娘變成了他的小粉絲。
拍攝當天BK都非常專業的指導我們動作（不是很尷尬的那種，而是自然的互動），當天也辛苦他背著相機跑來跑去，為我們記錄婚禮的每一個瞬間，喜歡BK的親切和專業，能夠邀請到他真的很榮幸。
6.宴客場地- 晶綺盛宴
結婚的當天是超級好日子，很多朋友都參加完中午場才趕場來晚宴。幸好提早預訂，還能訂到晶綺的包廂，如果是需要幾十桌的大廳，真的要提早很多才能訂到席喔！
會選擇晶綺盛宴，其實是因為「晶綺」對我和綺綺來說有特別的含意，當然也是因為場地我們非常喜歡，晶綺不是那種很豪氣的鋪張，而是有種很優雅的氣質。
從一開始的接待、反覆確認細節，到當天的宴客日服務，都讓我們覺得非常貼心。
7.喜餅- 喜憨兒基金會
打從要訂喜餅的那一刻起，就決定選擇喜憨兒喜餅，選擇公益喜餅是希望讓整個婚禮過程更加有意義，而負責訂購喜餅的專員也非常細心地和我們確認所有細節。
也很感謝親愛的讀者們訂購喜憨兒喜餅，謝謝你們獻上的祝福和愛心。
8.婚禮小物- 卡維蘭 Kaviiland
當時也因為要送什麼婚禮小物給親友困擾了一陣子，擔心禮物不實用。後來選擇了和在地小農合作水果啤酒的卡維蘭啤酒，當初還前往啤酒工廠瘋狂試喝，他們也非常仔細地介紹和招待，非常謝謝。
婚宴非常小型、簡單，沒有抽捧花、沒有任何人上台致詞、沒有伴郎伴娘、沒有任何活動，但卻也非常費神和燒錢，結束的當天實在體力透支。
雖然疲勞，但卻是非常美好的回憶，婚禮過了一週，我們和家人、朋友還是會時不時討論起當天的過程，影片和照片也是再三回味，謝謝參與整個過程的大家，有你們的參與讓婚宴更完整美好。
PS.之後可能會分享一些相片，如果想看其他細節分享，可以追蹤Aida的IG個人帳號aida_hahaha喔！
晶格方向 在 Re: [問題] 矽晶片方向性- 看板Electronics - 批踢踢實業坊 的八卦
: 作者: bor0306 (博) 看板: comm_and_RF
: 標題: [問題] 矽晶片方向性
: 時間: Thu Sep 24 13:58:12 2009
: 想請問一下大大，
: 老師有問一個問題，
: 目前BJT和MOS用的矽晶片，他們是不是有各自常用的矽晶片種類呢?
: BJT常用方向(111)的P-TYPE矽晶片
: MOS常用方向(100)的P-TYPE的矽晶片???
: 想請問一下大大，這是為什麼呢???
: 或是有沒有相關的網站或網頁可以提供參考呢~
: 謝謝大家^^
怎麼這問題常常被提出來問，該不會是同個老師...^_^!
我們先來說說為何BJT要用(111)的做，而MOS要用(100)。
這部份主要是考慮到，在蝕刻與離子佈值時對元件特性的問題。
之所以BJT 製造於(111)wafer上，是因為過去使用擴散或離子佈值(Ion Implant)的
方式將 Emitter與Base layers垂直的將dopant參入。依此方法若使用(100) wafer時，
dopant會經由(100)面中的通道(channel) 加速擴散滲入，使得每層layer的深度不均，
(甚至有Emitter和Collector相連的現象)，導致元件通通都死掉。
而(111)wafer從上往下看，晶體結構中沒有如(100)的channel，所以擴散或用ion
implant的dopant深度均勻且易控制，不過，現在用磊晶(epitaxy)後，可能就不同了。
再者，MOS製作於(100)wafer上是為了讓gate oxide 有較好的品質。若使用(111)wafer
由於表面矽的接腳較多支，而氧接上去後，表面或氧化層仍會殘留有許多懸鍵(dangling
bonds)，做成元件後，這些地方則成了氧化態(oxide state)或是所謂的表面態(surface
state)，載子一經過就被捉住，陷在裡面出不白，結果元件特性就變差了。
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