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(kugimiya rie)時間 Jun 30 19:16:19 2023 推噓 8 推:13 噓:5 →:22 ... 我只看到說新製程適用於9代以上，難道現在又有新製程只適用於10代以上了. ... <看更多>
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#1. 反應式離子蝕刻機RIE - ishien vacuum 部落格- 痞客邦
反應式離子蝕刻機RIE（Reactive Ion Etching）介紹【蝕刻原理】 在半導體製程中，蝕刻（Etch）被用來將某種材質自晶圓表面上移除。蝕刻通常是利用腐蝕 ...
#2. 反應式離子蝕刻機(Reactive Ion Etcher, RIE)
在半導體製程中，蝕刻（Etch）被用來將某種材質自晶圓表面上移除。蝕刻通常是利用腐蝕性物質移除部份薄膜材料，以達到產生所需圖案（Pattern）之技術。
反應離子蝕刻（英文：Reactive-Ion Etching，或簡寫為RIE）是一種半導體生產加工工藝，它利用由電漿體強化後的反應離子氣體轟擊目標材料，來達到刻蝕的目的。
RIE 其他應用. 光阻去除前. 光阻去除後 ... 保護製程步驟. 蝕刻製程步驟. 蝕刻原理. 台灣師範大學機電科技學系. C. R. Yang, NTNU MT. -12-. ICP-RIE SEM圖 ...
#5. Ch9 Etching
表面物質去除化的製程: 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻 ... 蝕刻速率是測量在蝕刻製程中物質被移除的速. 率有多快的一種參數。 ... 在8吋廠中，所有圖像蝕刻皆為RIE製程 ...
#6. 蝕刻技術
半導製程原理與概論Lecture 8. 蝕刻技術. (Etching). 嚴大任助理教授 ... 蝕刻製程乃是將經過微. 影製程在表面定義出IC. 電路圖案的晶圓， 以 ... bombardment (RIE).
#7. 反應性離子蝕刻 - 國立中興大學-光電半導體製程中心
反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching 簡稱RIE)。最為各種反應器廣泛使用的方法，便是結合(1)物理性的離子轟擊與(2)化學反應的蝕刻。此種方式兼具非等向性與高蝕刻選擇 ...
本文將介紹感應耦合電漿. 離子蝕刻製程所發展出來的光通訊元件，包含微型光開關與多工／解多工器之設計與詳細製程。 The development of high aspect ratio ICP-RIE Si dry ...
#9. 反應離子蝕刻設備 - Syskey Technology Co., Ltd.
因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質的薄膜。
#10. 反應離子蝕刻（Reactive Ion Etch） SAMCO-10NR 機台操作手冊
整個RIE 機台操作共可分成四大部分. 1. 使用前的檢查主要是確認時間、溫度、冷卻系統、氣體壓力流量分佈。 2. 製程前的CLEAN 動作，執行Recipe9。 3. 製程程序.
#11. 反應式離子蝕刻機RIE / 電漿輔助化學沉積系統PECVD - 力丞儀器
[ 半導體製程設備| 反應式離子蝕刻機/電漿輔助化學沉積系統 ] ... The Phantom II RIE system is the most advanced best-supported and most competitively priced ...
#12. 微機電系統的感應耦合電漿設備與製程技術
(Reactive Ion Etching, RIE)製程中反應氣體成. 分(如HBr、Cl/BC1,或SF/O)、氣體壓力及. 電極電壓等參數的控制進行蝕刻,因側蝕刻量. 小、蝕刻特性與矽晶片方向無關, ...
#13. 第二章 感應耦合電漿蝕刻與AlGaN/GaN HEMT
的矽半導體製程、以及近年來在功率元件亦相當熱門的碳化矽(SiC)半導體，氮 ... (Reactive Ion Etch，RIE) ，此種蝕刻方式兼具非等向性及高選擇比等雙.
#14. Chap9 蝕刻(Etching)
將微影製程前所沉積的薄膜，把沒有被光組覆蓋及保護的部 ... 微影製程而轉到光阻上，然後再利用 ... 反應性離子蝕刻法（Reactive Ion Etch，RIE），介於濺擊.
#15. 導電性材料活性離子蝕刻系統(RIE-10N, HDP-RIE, Si Deep-RIE)
奈米製程領域交大校區，國科會基礎研究核心設施，奈米中心；導電性材料活性離子蝕刻系統(RIE-10N, HDP-RIE, Si Deep-RIE, Shallow Si RIE)； ...
#16. 技術與能力 - 友威科技股份有限公司
於一密閉製程真空腔體內部通入Argon惰性氣體，於靶材表面及基板間施加一高電壓，此一高 ... 三、 物理、化學複合蝕刻：反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching 簡稱RIE) ...
#17. 新泰真空科技有限公司的帖子 - Facebook
反應離子刻蝕反應離子刻蝕（RIE）是Reactive Ion Etching 的簡稱，它是一種採用化學反應和物理離子轟擊作用 ... 除了PE及RIE機台，array製程最常用到的還有ICP（Indu
#18. 應科中心-微製程實驗室
微製程實驗室 · 聯絡人 · AG500 Mask Aligner · Heidelberg Direct Writer · Ulvac DC Sputter · Ulvac RF Sputter · Jlvac Thermal Evaporator · Ulvac E-Beam Evaporator · AST E ...
#19. Primo AD-RIE®-清單 - 中微半导体
Primo AD-RIE具備能够滿足新一代晶片器件製造需求的先進效能，現時已被廣泛應用於40到14納米後段制程。 此外，中微基於Primo AD-RIE開發了子系列產品Primo AD-RIE-e和Primo ...
#20. 電漿深蝕刻設備及其製程技術
Keywords：Deep etching, Reactive ion etch, RIE, Electrostatic chuck, ESC. 前言. 深反應式離子蝕刻（Deep Reactive Ion Etch- ing, DRIE）是光電及半導體領域近年 ...
#21. 矽深蝕刻(Si DRIE)系統RIE-800iPB｜Samco Inc.
用於高密度電漿矽深蝕刻MEMS及TSV元件. RIE-800iPB是特別為矽晶片的Bosch(授權於Robert Bosch GmbH)製程設計. 系統獨特的反應器, ...
#22. 第四章個案分析與結果-以蝕刻技術為例
四） 反應性離子蝕刻（Reactive Ion Etching, RIE）. 目前最為被廣泛使用的方法，便使是 ... 而減少電漿導致. 損壞可使製程上的設計變得更單純，並提高元件的可靠度。
#23. Etch - 電漿蝕刻產品
主要的技術，反應離子蝕刻(RIE)，是用離子(帶電微粒) 轟擊晶片表面來去除材料。針對最微小的特徵結構，原子層蝕刻(ALE) 可一次去除一些原子層的材料。而導體蝕刻製程可 ...
#24. 應用類神經網路模擬預測電子迴旋共振式蝕刻機台蝕刻深度與 ...
The Prediction of Etching Depth and Yield of ECR-RIE Using Neural Network ... 了一套能夠模擬電子迴旋共振式蝕刻機台(ECR-RIE)之蝕刻深度預測系統，在製程資料的 ...
#25. 【面板制程刻蚀篇】史上最全Dry Etch 分类 - 行家说
反应离子刻蚀（RIE）是Reactive Ion Etching 的简称，它是一种采用化学反应和物理离子轰击作用进行刻蚀的技术。 如下图所示，RIE腔室的上电极接地，下电极 ...
#26. 活性離子蝕刻機(RIE) - 駿佳科技有限公司Junjia Tech Corp.
活性離子蝕刻機Model: RIE-Clip Series. Reactive Ion Etcher (RIE) ... 可將腔體壓力(Base Pressure) 抽到至10-6Torr低壓，用來趕走腔體內殘存氣體,而不用在製程上。
#27. 高密度電漿蝕刻系統 - 國立中央大學光電科學研究中心
RIE. 儀器中文名稱：活性離子電漿蝕刻系統; 儀器廠牌及型號：Advance Vacuum /Vision 320; 設備規格： ... 儀器功用：光電元件蝕刻阻擋層或鈍化層介質薄膜沉積製程 ...
#28. 儀器預約系統- ICP-RIE
發佈日期 最新消息 更新日期時間 2021‑05‑03 5月6日空調保養公告 2021/05/03 15:30:24 2015‑02‑17 休廠公告 2015/02/17 14:16:19 2015‑01‑16 < 停水公告> 2015/01/16 16:14:25
#29. 新世代記憶體的蝕刻挑戰與解決方案 - 電子工程專輯
圖1：所有的新世代記憶體都採用金屬與金屬氧化物，為蝕刻製程帶來了新的 ... 晶圓，而且離子會正交地衝擊；由於RIE的化學成分對於MRAM堆疊材料蝕刻 ...
#30. 文件編號： Q3-NL04 制訂部門
點選右下角RIE 製程參數或ICP 製程參數，進入後點選製程參數表，可進入製程參數目錄，. 確認所需製程參數編號，回製程參數表輸入編號，讀取參數，回全 ...
#31. 友威科技股份有限公司
友威科技成立於2002年，集合一群有多年真空經驗的團隊，積極投入真空濺鍍製程技術及 ... etching(ICP、RIE、Ion bean、Micro wave)技術本位出發，與客戶共同討論開發新 ...
#32. TWI420590B - 積體電路結構與其形成方法 - Google Patents
上述形成穿透矽通孔20之蝕刻步驟包含任何合適蝕刻方法，例如電漿蝕刻、化學濕式蝕刻、雷射鑽孔、及/或其他製程。在一實施例中，蝕刻製程包含深RIE製程以蝕刻半導體基板10。
#33. 當年度經費： 999 千元 - 政府研究資訊系統GRB
透過台灣半導體研究中心(TSRI)合作開發，以感應耦合電漿離子蝕刻（Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching , ICP-RIE）先進製程與設備.
#34. 財團法人自強工業科學基金會半導體中心首頁
關鍵字：自強基金會、財團法人自強工業科學基金會、ITO鍍膜代工、金屬鍍膜代工、銅電鍍代工、黃光製程代工、濕蝕刻代工、乾蝕刻代工、ICP蝕刻、RIE蝕刻、光罩設計、光 ...
#35. 離子蝕刻 - NinjaLogin
反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching 簡稱RIE) 最為各種反應器廣泛使用 ... 設備蝕刻(Etching) 表面物質去除化的製程: 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻 ...
#36. Company Profile
從RIE製程拓展到成熟的高密度附有真空load-lack的電漿系統。 CORiAL 針對奈米及新的能源、健康、資訊與通信技術,提供客製化製程與客戶製程需求改善解決 ...
#37. 乾蝕刻製程技術 - 弗侖斯系統股份有限公司
製程 : • Silicon oxide etch • Silicon nitride etch • Polymer discumm. ◇ 感應耦合電漿反應式離子矽深蝕刻 機台: STS ICP RIE Gas system: SF6, C4F8, Ar, O2 製程:
#38. 產品介紹 - 緯利股份有限公司
你會發現MK-II在處理不同電路板無論是大或小或是不同材料如聚四氟乙烯，聚酰胺，軟或硬板都有均勻蝕刻結果良好的清潔效果，可以直接進入下一製程。
#39. 儀器列表
使阻劑圖案化於所需之基板上；再以RIE將阻劑圖案轉移至欲圖案化之基板上，如此即可的奈米圖案於所需的基板上。 ... 紫外光曝光機用於光蝕刻製程中之光罩圖形轉移。
#40. 成果報告資料顯示 - 工程科技推展中心
中文摘要, 本計畫根據單晶矽微加工技術之特點，提出以感應耦合電漿離子蝕刻（Inductively Coupled Plasma Reactive IonEtching , ICP-RIE）之體型微加工製程技術，以高 ...
#41. 電漿蝕刻 - AEF info
製程 項目利用電漿氣體改質玻璃金屬等各材料表面性質如: 清潔增減表面能粗糙度等應耦合電漿離子蝕刻inductively coupled plasma-reactive ion etching, ICP-RIE 系統以 ...
#42. 壓電薄膜加速度微感測元件之製程規劃與研究 - 國立高雄科技大學
在矽加工部份是利用氫氧化鉀. （KOH）蝕刻矽來達到所需島狀結構，再利用. RIE 蝕刻出四根懸樑部份，文中並探討適當補償. 方式來避免底切發生，並與IntelliSuite 蝕刻模. 擬 ...
#43. 「面板製程刻蝕」史上最全Dry Etch分類、工藝基本原理及良率 ...
除了PE及RIE機台，array製程最常用到的還有ICP模式。 1.反應離子刻蝕. 反應離子刻蝕（RIE）是Reactive Ion Etching 的簡稱，它是一種採用化學反應和物理 ...
#44. 志聖工業推出9款電漿新機種提供MEMS、3D IC、CIS製程最佳 ...
Onyx 6202 CCP System運用於LED產業或小量的樣品生產，全新的ICP系統採用了CCP-RIE方式作處理，可以在進行光阻灰化或電漿表面處理製程時，降低對基材 ...
#45. PROCESS EQUIPMENT 半導體製程設備 - EMINTEK CORP
條列顯示 | 圖片顯示 · Rapid Thermal Process RTP/RTA 快速升降溫退火爐 · PLASMA ETCH/RIE 電漿乾蝕刻設備 · PLASMA ASHER/DESCUM 電漿去光阻設備 · SPUTTER DEPOSITION 濺鍍 ...
#46. Etch - 蝕刻
一般而言，部分晶圓會在蝕刻時受到抗蝕刻「光罩」材料(如光阻劑) 或硬質光罩(如氮化矽) 所保護。 蝕刻製程是指介電質蝕刻或導體蝕刻，用以指明從晶圓上移除的薄膜材料類型 ...
#47. 成大微奈米
... 大核心技術團隊：1）奈米微影製程技術、2）奈米表面與磊晶本中心微奈米科技組編號之金屬蝕刻系統（感應耦合電漿離子蝕刻機） (ICP RIE SYSTEM) 停 ...
#48. (12)發明說明書公開本(11)公開編號:TW 201834183 A
使用例如CVD的習知沉積. 製程沉積介電材料或金屬層110於基板100上。使用習知. 沉積、微影及蝕刻製程(例如,RIE),形成柱體120於材料.
#49. 電腦輔助設計工具 - Avant Technology, Inc.
模擬RIE/ICP（Bosch Process）製程，清晰反映加工工藝如何影響產品成型。 可調節側邊的圓齒、粗糙度及周期; RIE和DRIE的lag效應; 模擬最終實體形 ...
#50. Re: [問題] 關於RIE側壁不夠垂直- 看板NEMS - 批踢踢實業坊
板上討論黃光的比較多，畢竟是microfabrication的第一步，黃光之外的其他製程討論相較之下會比較少一點。前一篇文章寫得很好，不過在這邊補一些觀念 ...
#51. ' - ' - 技鼎股份有限公司
Dry Etch (PE / RIE / ICP). 相關連結(另開新視窗). 該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和沈積製程設備。採用真空進樣室進樣可進行快速的晶片更換、採用多種 ...
#52. 「面板制程刻蚀篇」最全Dry Etch 分类、工艺基本原理及良率剖析
如下图所示，RIE腔室的上电极接地，下电极连接射频电源（13.56MHz），待刻蚀基板放置于下电极，当给平面电极加上高频电压后，反应物发生电离产生等离子体 ...
#53. 產品介紹| 優貝克科技股份有限公司
Luminous NA-series為對於製程需求嚴峻的次世代封裝工程從wafer process ... 多樣性的Chamber構成（Microwave、RIE、Microwave＋RIE），有多種搬送路徑可供選擇。
#54. 中微發佈業界首創介電質蝕刻及去光阻一體機Primo iDEA (TM)
Primo iDEA™主要針對2X奈米及更先進的蝕刻製程，運用中微已被業界認可的D-RIE蝕刻技術和Primo平台，避免了因電漿直接接觸晶圓引發的器件損傷（PID）， ...
#55. 電漿蝕刻原理 - AACILS
反應式離子蝕刻機RIE @ ishien vacuum 部落格:: 痞客邦 ... 分子、負電（電子）和正電（離子）所構成在大部分的電漿製程反應室中，游離率都低於% 電漿 ...
#56. 電漿蝕刻原理 - Omael Creations
電漿表面蝕刻於印刷、粘合和噴漆之前進行蝕刻製程是指介電質蝕刻或導體 ... 反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching 簡稱RIE) 最為各種反應器廣泛使用的 ...
#57. 標竿案例
標竿案例. 製程冷卻水供應壓力調降、節省泵浦電力 ... 案例編號：98-PE-007 ｜ 行業別：電子零組件製造業｜ 技術別：製程設備(PE). 節省電力 ... RIE L/L pump DP .
#58. 電漿蝕刻原理 - SVP Renault Trucks
何謂乾式蝕刻答：利用plasma將不要的薄膜去除. 何謂Under-etching(蝕刻不足)?反應離子蝕刻（英文：Reactive-Ion Etching，或簡寫為RIE）是一種半導體生產 ...
#59. 以精密電解削銳輪磨及反應離子蝕刻之複合製程快速加工鑽石膜 ...
作者: 趙崇禮 ; 貢獻者: 淡江大學機械與機電工程學系 ; 關鍵詞: CVD鑽石膜;反應離子蝕刻;空氣電漿;微結構;CVD diamond grain;RIE;Atmospheric pressure air ...
#60. 電漿深蝕刻設備及其製程技術 - 機械工業網
Keywords：Deep etching, Reactive ion etch, RIE, Electrostatic chuck, ESC. 前言 深反應式離子蝕刻（Deep Reactive Ion Etch-ing, DRIE）是光電及 ...
#61. Delayer - 化性工程分析- 服務項目 - 汎銓科技
– IC層次去除(Delayer) 方法. 使用多種不同處理手法(RIE / Chemical Etch / Polish)，將晶片的多層結構(Passivation, Metal, IMD) 選擇性 ...
#62. 工藝制程分析
芯片工藝分析實驗室. RIE/IBE刻蝕, SEM/OM 顯微圖像采集, CMP化學機械研磨. lab02.
#63. 國科會一般型研究計畫 - 大同大學
利用RIE製程完成石英晶片頻率調整作業，2021/9/1 ~ 2022/8/31; 6.具色溫調節之地下空間照明系統，2021/1/1 ... 生物晶片微流道之厚膜製程，2018/2/1 ~ 2018/10/31; 14.
#64. 離子蝕刻 - E-TROTT AURA
反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching 簡稱RIE) 最為各種反應器廣泛使用 ... 因此，rie製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的 ...
#65. 歡迎蒞臨台達
驅動類產品與電源治理 · 運動類產品 · 控制類產品 · 現場應用 · 製程設備 ... 會「研究、創新與企業2025計畫」(RIE 2025)的支持，總投入金額超過新加坡幣2,400萬元。
#66. 電漿蝕刻原理 - Horno de Pan
3 電漿的應用•cvd 蝕刻•pvd 離子佈植光阻剝除製程反應室的乾式清洗· 電漿 ... 性離子蝕刻(Reactive Ion Etching 簡稱RIE) 最為各種反應器廣泛使用的 ...
#67. 成大微奈米 - Enabot
... 大核心技術團隊：1）奈米微影製程技術、2）奈米表面與磊晶本中心微奈米科技組編號之金屬蝕刻系統（感應耦合電漿離子蝕刻機） (ICP RIE SYSTEM) 停 ...
#68. RIE - 全稱是Reactive Ion Etching，反應離子 - 中文百科知識
是乾蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radio frequency）時會產生數百微米厚的離子層（ion sheath），在其中放入試樣，離子 ...
#69. 星巴克熱量拿鐵 - zubizer.online
... 數值僅為參考均值，如因原物料調整、飲料製程改變等原因，數值將隨之變更。 ... Netflix la s rie The Watcher a t elle t tourn e dans la vraie ...
#70. 芯片产业链——芯片制造 - 电子工程专辑
RIE 结合了前两种方法，即在利用等离子体进行电离物理刻蚀的同时，借助 ... 整个封装制程分为五步，即晶圆锯切、单个晶片附着、互连、成型和封装测试。
#71. [請益] 該等14代INTEL嗎?還是直衝13代- PTT評價
(kugimiya rie)時間 Jun 30 19:16:19 2023 推噓 8 推:13 噓:5 →:22 ... 我只看到說新製程適用於9代以上，難道現在又有新製程只適用於10代以上了.
#72. TB1/50J250TA - Datasheet - 电子工程世界
使能发送完成标志(TC)来产生中断申请RIE: 接收器满中断使能位T.. ... 8月10日，中芯国际宣布，采用其28纳米工艺制程的Qualcomm骁龙410处理器已成功应用于主流智能手机 ...
#73. VCSEL 技術原理與應用 - 第 177 頁 - Google 圖書結果
若是所使用的 RIE 蝕刻設備受限於可選用的蝕刻氣體及製程參數無法進一步改善 SiNx 對 AlGaAs/GaAs 材料的蝕刻選擇比及蝕刻速率,另一個選擇為改採 SiO2 作為蝕刻保護層, ...
#74. 半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 114 頁 - Google 圖書結果
若我們懷疑某後段製程(back-end of line,BEOL)中的反應性離子蝕刻(reactive ion etch,RIE)製程(註:關於製程的介紹,請見第六章)會使閘極氧化層產生陷阱電荷, ...
#75. 深次微米矽製程技術 - 第 58 頁 - Google 圖書結果
這種製程的優點為高沉積速率、低溫製程,容易以反應離子蝕刻( RIE )製程輕易去除。製作時,直流偏壓固定為 800 伏( V ) ,基板維持在室溫,經由量測加了 BARC 的鋁合金與矽 ...
#76. 半導體製程設備 - 第 306 頁 - Google 圖書結果
表 7.2 1994 年美國半導體工業協會( SIA )對蝕刻技術演進的預測年份 1992 1995 1998 2001 2004 2007 矽溝槽( Si trench ) RIE 蝕刻 ECR ICP Helicon Neutral stream ...
#77. 光電半導體製程技術光電產品製程LED - YouTube
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#78. 好時光義式冰淇淋 - zozusa.online
... 的Gelato，不使用人工香精與甜味劑，天然的製程，更保留了各種食材的原味。 ... Affaire folle casting de fou cette s rie am ricaine avec une ...
#79. 明治四十三年日本帝国死因統計: Statistique des causes de deces de LEmpire ...
業及製程業 Prehe et extraction du sel 3.護業及资金業(第四染夕) Miries et ... 石状及石油採取及精製業 rie comprise ) ... 5.土石採取及製造業 Carrières et ...
#80. 每日新聞 - 第 10478-10538 期 - 第 251 頁 - Google 圖書結果
試焼、、主として船外線対戦合は中日午後 1 時入 Rie (本上最 HEERION 4 時 1 九十 ... OOJU i y でいる冷特そんなでは 24 ass 資嵌入體產製程 Booteseve bes RUB 14.
#81. 半导体蚀刻RIE 反应离子蚀刻简介 - 知乎专栏
反应离子蚀刻(MKS官网) Reactive Ion Etching 反应离子蚀刻反应离子蚀刻（以下简称RIE）使用了化学和物理反应来移除衬底表面的材料,它是能产生定向 ...
rie製程 在 Re: [問題] 關於RIE側壁不夠垂直- 看板NEMS - 批踢踢實業坊 的八卦
板上討論黃光的比較多，畢竟是microfabrication的第一步，黃光之外的其他製程
討論相較之下會比較少一點。前一篇文章寫得很好，不過在這邊補一些觀念釐清，
以供對之後有需要對乾蝕刻製程的先進參考
※ 引述《NightMoon33 (夜月)》之銘言：
: 原po你好，我碩士班也有花了數個月測試RIE蝕刻的側壁筆直性
: 不過我的深寬比是1.67，深度約250 nm，寬度約 150 nm，而且我蝕刻的是介電質材料
: 希望一些經驗可以幫到你
: 那時候的學長是說化學蝕刻氣體"比例"千萬不能動，化學氣體比例是影響最劇烈的
: 在這裡指的就是CF4和O2兩個氣體的比例千萬不要動
CF4跟O2比例不是不能動。
事實上RIE製程中加入O2的原因，是因為要在反應中
將O2產生的含氧生成物與CF4產生的碳發生作用。碳跟氧結合了，留下未反應的的F，
F在整個反應中的相對比例就會提高，而F就是與Si結合的主要反應物，簡單來說，
F濃度高了，蝕刻就快了。
由以上敘述可知，製程中加入的O2氣體主要是加快蝕刻速率，對側壁的反應並無直接
關連，所以不要動這點我是贊成，但原因為上述
: 再來是製程真空度，一般來說，如果側壁要越筆直，則真空度就要越低
: 所以我當初是設定RIE機台的最低真空度: 20 mTorr
這邊其實容易令人誤解。 mTorr其實是壓力單位。原PO所指的應為
"側壁要越直，反應壓力要越低"。 而壓力要越低，代表的是真空度則是越高。
其理論基礎也很簡單。真空度越高，腔體內反應粒子的"平均自由徑"越長。公式在這邊
我就不列了。平均自由徑越長，離子所帶的能量就越高(一樣是省略公式)。
離子能量越高，離子轟擊效果越好，越能達到非等向蝕刻的目的。
: 不過真空度會容易造成光阻被轟擊的更劇烈，所以要特別考慮選擇比和光阻去除的問題
: 如果調低真空度測試過還是不行的話，再去調動Ar和RF Power
: 調動Ar可以增加化學性蝕刻，但是光阻也更容易被轟擊
^^^^此處的"化學"應該是"物理"的誤植
: 而調動RF Power是控制氣體的解離量
學理來說都是對的，增加Argon濃度，就會增加(用來做物理性轟擊)離子的濃度
而增加RF Power, 電漿電位增加，直流偏壓也增加，離子密度與離子轟擊能量均可由
RF Power控制，RF Power是控制離子轟擊最主要的樞紐
: 如果我是你，我會先以原有的參數並調低製程真空度到機台最低範圍
: 如果不行再微調氣體流量
: 作個Ar 15%和RF Power 25W、40W
: 這樣交叉組合大概會作3個測試實驗
: 從中取側壁角度最大的參數再繼續往那方向作修改
: 希望可以幫助到你，祝你早日實驗成功~
回到第一點，製程加入的輔助器體，除了02之外，H也是相當重要。有許多RIE所通的氣體
會以CHF3來取代 CF4。
不同於O是拿來跟CF4中的C來反應，H剛好相反，是用來跟CF4中的F反應生成HF。
F被H反應掉了，反應氣體中的C的濃度就會增加。此時整個蝕刻反應中的"蝕刻"反應就會
降低，取而帶之的是由高含碳量所導致的"高分子生成"反應，意即在被蝕刻薄膜表面
(包含側壁)會生成一種高分子。這種高分子膜就會妨礙蝕刻的繼續進行。
這種機制跟ICP-RIE中Bosch Process所生成Passivaiton layer拿來保護側壁的原理
很接近。運用得宜，亦是用來保護側壁，達成非等向性蝕刻的好方法。
但缺點就包含蝕刻速率太低，以及"方法太複雜，很難運用得宜"。
整個結論是，
以RIE為主的乾蝕刻包含了物理性蝕刻跟化學性蝕刻兩種。化學性蝕刻就如同濕蝕刻一樣，
會導致等向性蝕刻，因此側壁無法垂直。因此若是要求要有側壁垂直，就要盡一切可能，
增加RIE的物理性反應，抑制化學性反應。
只要能夠了解RIE中每項參數(RF Power, Presure, 氣體流率)以及所使用氣體
(CF4, CHF3, O2, H2, Argon)背後所代表的原因，理論基礎，以及物理意義，
就能夠事半功倍，以正確的方向，較短的時間，達到使用這項工具的目的。
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本球隊一切依法行政，謝謝指教。
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 205.175.124.16
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/NEMS/M.1397173458.A.550.html
感謝經驗分享~本篇之前沒提到溫度影響，因為一般學界RIE無可調整溫度參數
故無討論，
不過溫度的確會影響。理由在於低溫可以抑制RIE的化學性蝕刻，達到只有離子轟擊的
效果。著名的例子如cryogenic process, 即為DRIE所使用方式一種(但現今絕大多數
DRIE主流為Bosch Process，而非 cryogenic process). 其原理及是將wafer
冷卻到零下一百一十度C，在這種溫度下造成只有物理性蝕刻為主，而幾乎無化學性
蝕刻的存在。
※ 編輯: SkyLark2001 (205.175.124.160), 04/18/2014 15:49:54
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