mosfet寄生電容的八卦，PTT和 Yahoo名人娛樂都在討論：

#11. 所谓MOSFET-寄生电容及其温度特性|基本知识

继前次硅电晶体的分类和特徴，基本特性之后，接着我想追加说明目前被广泛用来作为功率切换的的Si-MOSFET的特性。 MOSFET的寄生電容. MOSFET在构造上存在有下图般寄生的 ...

#12. MOS管基礎知識與應用 - 範文筆記

寄生電容 的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。 在mos管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二 ...

#13. 所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性 | 健康跟著走

表中的Ciss、Coss、Crss三項參數與這些寄生電容﹙parasitic capacitance﹚有關，一般常見於MOSFET數據表中，且在靜態特性和動態特性分開 .

#14. 【产品】ROHM（罗姆）MOSFET的寄生电容及其温度特性 - 世强

本文主要介绍MOSFET存在寄生电容，寄生电容是影响开关特性的重要参数。ROHM功率MOSFET寄生电容对于温度影响几乎无变化，因此开关特性几乎不受温度变化的影响.

#15. 盤點功率MOSFET典型應用的28個問題 - 今天頭條

特別注意的是：寄生電容Coss 不是線性的，隨著電壓的增大而減小，因此可以的看到波形振蕩的頻率並不是固定的。VDS 的高頻振蕩是無法消除的，增加Coss 或在 ...

#16. mos管寄生电容测试、特性与问题解析

mos 管寄生电容是动态参数，直接影响到其开关性能，MOSFET的栅极电荷也是基于电容的特性，下面将从结构上介绍这些寄生电容，然后理解这些参数在 ...

#17. 图解MOSFET的寄生电容、VGS的温度特性 - 晶体管

为了发挥MOSFET性能优势，用户除了详细阅读产品规格书外，有必要先了解MOSFET的寄生电容，开关性能，VGS(th)(界限値)，ID-VGS特性及其各自的温度特性 ...

#18. MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响 - 维科号

LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET.

#19. 雜散電容:寄生電容（parasitic capacitance） - 中文百科知識

MOSFET 及IGBT驅動器就是用來解決寄生電容的問題，其輸出電流亦較大。 寄生元件. 寄生元件（英語： parasitic element）是電路中電子元件（如電阻、電容 ...

#20. MOSFET 的寄生电容

MOSFET 的寄生电容 ... 可以看到, 这里的主要差别在于MOSFET 处于饱和区时, 沟道在漏端夹断, 因此等效的栅电容对Cgs 和Cgd 的贡献不再是1/2 的Ci, 而是近似 ...

#21. 如何计算MOS管的寄生电容 - 微波EDA网

在电路中，用MOS管接地或者接电源来做电容，请问这种MOS管电容的大小怎么计算呢?主要是Cox和Cov这两种电容如何计算?在Cadence里用Model Parameters 来查看， ...

#22. 搞懂MOS管，你不得不知道的米勒效应 - 与非网

MOS 管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。

#23. mos寄生電容公式 - 軟體兄弟

众所周知，电阻的计算公式是： R=ρ*（L / W*d ） =(ρ/ d )*(L/W ) ... 寄生电容会影响mos系统的开关速度，它们来源于与mos管相关联的电容以及各个连 ...,電容包括接線 ...

#24. MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的？ - 电子元件技术网

我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生电容CDS ...

#25. 功率MOSFET输出电容的非线性特性 - 新浪财经

功率MOSFET的数据表中有三个寄生电容：输入电容Ciss、输出转移电容Crss和输出电容Coss。其中，Crss为栅极G和漏源D电容，这个电容也称米勒电容；栅极和源极 ...

#26. 如果mosfet柵極懸空，加直流高壓，危險嗎？ - GetIt01

考慮mos的寄生電容模型如下（如題主所說，柵極懸空）. DS突加直流電壓，Cgd上的電壓會發生劇烈變化，根據公式 i=Cfrac{du}{dt} 會瞬間感應出較大的衝擊電流igd，由於柵 ...

#27. 準諧振反馳式電源設計探討:MOSFET,電路板 - CTIMES

MOSFET 包含若干個寄生電容，主要從元件的實體結構產生。它們可以利用數學方式簡化為MOSFET輸入電容CISS，和MOSFET輸出電容COSS，如(公式一)所示。

#28. mos管寄生电容是什么看了就知道

寄生电容 是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。 ... 不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频情况 ...

#29. ROHM N通道SiC功率MOSFET - Mouser

ROHM N通道SiC功率MOSFET在切換時不會有尾電流，因此可提供更快速的運作並減少切換 ... 另外，低導通電阻與小尺寸晶片可確保低電容與閘極電荷。 ... 小Qg與寄生電容

#30. 簡單的方式去鑑定MOSFET的好壞 - 大大通

下圖是簡單的MOSFET等效電路，其中包含了等效寄生電容在裡面。它顯示了一些小的電容例如：Cgs/Cgd 與Cds，這也就是gate to source 容易會有寄存的電壓 ...

#31. MOS的寄生电容- Analog/RF IC 设计讨论 - EETOP

我想知道一个MOS管的栅源电容Cgs，栅漏电容Cgd，源衬底结电容Csb，漏衬底结电容Cdb，我对电路做了一下直流分析，对其中一个管子看了它的直流状态参数，如上图所示， ...

#32. 適合消費產品與照明應用的500V 超接面MOSFET

SJ MOSFET 的輸入及輸出電容值僅一半，因此具備降低切換損耗和驅動損耗的優點。圖3 以簡圖說明這. 些寄生電容（紅色圓圈）。 Page 8. 500V CoolMOS. ™. CE. 8.

#33. 在類比佈局設計中堆疊MOSFET - 電子技術設計 - EDN Taiwan

總閘極面積和總閘極電容仍然類似於非堆疊等效電路，但在互連線上還有額外的寄生電容。相較於單個長通道元件，堆疊元件的實體分離增加了總設計面積。 當在 ...

#34. mos管的寄生电容大小 - 电知识网

MOS 管是一个系列,功率从小到大很多品种,寄生电容各不相同. ... 栅极有个寄生电容,驱动的时候电流主要是给这个寄生电容充电,关断的时候电容就给地放电, ...

#35. ROHM推出業界頂尖第4代低導通電阻SiC MOSFET - 益登科技

而且，藉由大幅減少切換時會產生損耗的寄生電容※4，能比傳統產品成功降低約50％的切換損耗。 因此，兼具低導通電阻和高速切換性能的第4代SiC MOSFET， ...

#36. mos 寄生電容

寄生電容 一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。 關于MOSFET 中的寄生電容，我們可以從下面MOSFET 的剖面圖 ...

#37. 寄生电容

寄生电容 （parasitic capacitance），也称为杂散电容，是电路中电子元件之间或电路 ... 功率MOSFET（Power MOSFET）的寄生电容可能会比较大，若直接利用微控制器的输出 ...

#38. MOS管的通斷過程你都理解透了嗎？

MOS 管作為開關元件，同樣可以工作在截止和導通狀態，由於MOS管是電壓控制元件， ... Mos管的漏、源、柵極間都有寄生電容，分別為Cds、Cgd、Cgs。

#39. MOS管開關時的米勒效應 - 台部落

t3-t4：米勒電容充滿電，Vgs繼續上升到外界驅動電壓的值，此時MOSFET進入 ... 在MOS開通前，D極電壓大於G極電壓，則MOS寄生電容Cgd中就會儲存着電荷。

#40. mosfet寄生電容搜尋結果

寄生电容 的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有 ...... 全文檢視 » · （轉貼）MOS ...

#41. 解析适用于SiC 栅极驱动的PCB 布局方法 - Wolfspeed

首先，SiC MOSFET 具有理想的固有低寄生电容(CGD, CDS, CGS)。这种特性支持高开关频率，因此有助于实现高功率密度设计。但是，与这种好处如影随形的 ...

#42. 橫向擴散的射頻金氧半場效電晶體之佈局設計與熱特性分析

在傳統的MOSFET中，寄生汲極電容指的是n+的汲極和p型基底間的接面電容。 ... For MOSFET, the conventional parasitic drain capacitance refers to the n+ drain to ...

#43. CN106250586A - 一种提取FinFET寄生电容模型的方法 - Google

[0002] 随着半导体工艺技术节点的不断缩小，传统的平面MOSFET遇到了越来越多的技术挑战，FinFET (鳍式场效晶体管)作为一种新型的三维器件结构，可以极大地提升MOSFET的器件 ...

#44. 四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...

電容 的半導體和氧化層介面處吸引 ... MOS結構的電容Cox：因為用MOS結構在半導體與氧化層間之介面 ... 當寄生的npn和pnp BJT被啟動時，會產生latch-up現象。通常是可逆.

#45. MOS開關管的選擇及原理應用- IT閱讀 - ITREAD01.COM

所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS.下面的介紹中，也多以NMOS為主。 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而 ...

#46. MOS管驱动电路详解 - 深圳市恒南电子有限公司

原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这 ...

#47. 功率MOS管主要参数

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻， ... 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是 ...

#48. CN1707813A - 具有减少的寄生电容的mos电容器

一旦Vg(栅极电势或正/负极电势)高于该电容器的阈值电压，两种类型的电容器实质上呈现出相同的电容。MOS电容器10还在它的阴极呈现出寄生电容，该寄生电容是由在N-阱16 ...

#49. EL3120 IGBT Gate Drive Optocoupler 應用手冊 - 億光電子

特性，具有MOSFET 快速開關與BJT 高電流導通的性能，此外，IGBT 具有較低的導通壓降及較高. 的耐壓，電路模型可以簡化為由MOSFET ... 圖3 為IGBT 寄生電容示意圖。

#50. 寄生電容計算 - Hrizax

寄生電容 （parasitic capacitance），也稱為雜散電容，是電路中電子元件之間或 ... 的走线寄生电感怎么计算2015-09-18 如何计算MOS管的寄生电容2016-06-01 过孔的寄生 ...

#51. 110 年公務人員初等考試試題

在共源極（common source）放大器中，若FET 的VGS 未達臨界電壓，則汲 ... 如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2 和CS，MOSFET 的寄生電容約為Cgs 和.

#52. 功率MOSFET 的寄生振荡和振铃

功率MOSFET 有很大的跨导gm 和寄生电容。因此，线路电感和其它杂散电感（栅电路、源电路和漏. 电路之间的电感以及相关互连中的 ...

#53. AN4671 应用笔记如何调整碳化硅MOSFET 驱动减少功率损耗

因此，关键要以怎样的方式驱动碳化硅MOSFET，以促进尽可能低的传导损耗和开关损耗，这 ... MOSFET 的寄生电容CGD 充电的充电电流，此电流通过米勒电容，栅极电阻和CGS ...

#54. mos 電阻公式

繼前次Si電晶體的分類和特徴、基本特性之後，接著我想追加說明目前被廣泛用來作為功率切換的Si-MOSFET的特性。 MOSFET的寄生電容MOSFET在構造上存在有下圖般寄生的静電容量 ...

#55. MOSFET的寄生電容為Cgs和Cgd。有關此放大器電路的高頻響應

如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2和CS，MOSFET的寄生電容為Cgs和Cgd。有關此放大器電路的高頻響應，下列敘述何者正確？

#56. mos管里的寄生电容包括哪些？Cgs，Cgd，Cds都算吗？还有 ...

mos 管里的寄生电容包括哪些？Cgs，Cgd，Cds都算吗？还有没有其他的. 我来答.

#57. GaN 器件的直接驱动配置 - 德州仪器

GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三. 象限反向恢复的特点。 ... 由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）实现此. 类拓扑。

#58. MOS上面爲什麽不能跨綫？ - Layout設計討論區 - Chip123

關於類比類電路, 很多前輩都告訴我不能在MOS上面跨綫,誰能告訴我爲什麽? 主要影響是什麽?如果這個電路對寄生電容不敏感的話跨應該沒事吧? 而且.

#59. mos管寄生電容是什麼看了就知道

寄生電容 是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。實際上，一個電阻等效於一個電容，一個電感，一個電阻的串聯，低頻情況下表現不 ...

#60. 寄生电容对LLC 谐振变换器的影响分析 - 《电源学报》

键元件的功率半导体器件, 如MOSFET 和二极管. 等,由于器件制造工艺的缘故,也不可避免地存在. 寄生结电容。在分析这些寄生电容对LLC 变换器影.

#61. ROHM推出業界頂尖第4代低導通電阻SiC MOSFET 加速車載 ...

而且，藉由大幅減少切換時會產生損耗的寄生電容※4，能比傳統產品成功降低約50％的切換損耗。 因此，兼具低導通電阻和高速切換性能的第4代SiC MOSFET，將有 ...

#62. 技术文章—如何改善开关电源电路的EMI特性？ - 电子工程世界

在MOSFET选型中，MOSFET的Coss、Ciss、Crss参数特性，影响开关尖峰大小。 从上述分析中可知，我们可以通过提高MOSFET寄生电容Cgd、Cgs、Cds和增大驱动电阻 ...

#63. [問題] 想請問有關充電與放電- 看板Electronics

這是個很笨的問題，小弟我學生時代基礎不好，想請問各位大大，經常在PWM轉換器與半橋電路中看到，無論是開關MOS本身的寄生電容，亦或是具體的周邊RLC ...

#64. MOS開關管的選擇及原理應用 - 尋夢園

MOS 管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再 ...

#65. 介紹幾個模塊電源中常用的MOSFET驅動電路 - 雪花新闻

更細緻的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。 ... IC驅動能力、MOS寄生電容大小、MOS管開關速度等因素，都影響驅動電阻阻值的選擇，所以Rg並不能無限減 ...

#66. MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用 - 微桥

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压 ... MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，如右图所示。

#67. 104年公務人員初等考試試題 - StudyBank

19 如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），且忽略元件之寄生電容與輸出阻抗，下. 列何種調整方式無法增加放大器之頻寬？ 減低CL. 增加Vb.

#68. GaN器件的直接驅動配置

由於GaN的寄生電容低且沒有二極體反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。 圖1：共源共柵驅動和直接驅動配置。 通常 ...

#69. 解析MOSFET的寄生电容-VGS的温度特性知识 - 壹芯微二极管

解析MOSFET的寄生电容-VGS的温度特性知识. 同普通三极管相比，MOSFET堪称晶体管之王，在模拟电路和数字电路中均有广泛用途。为了发挥MOSFET性能优势， ...

#70. （轉貼）MOSFET驅動注意事項- 電子電路 - 痞酷網_PIGOO

因為MOSFET的柵-源極之間存在寄生電容，MOSFET的開和關過程，是對電容的充放電過程，如果MOSFET的驅動電路不能提供足夠的峰值電流（如1A的輸入/輸出電流） ...

#71. 寄生電容計算

由於使MOSFET動作必須驅動（charge充電）此電容，因此Ciss是討論輸入功率元件驅動 ... 寄生電容（ parasitic capacitance ），也稱為雜散電容，是電路中電子元件之間或 ...

#72. 造成系統毀損及耗能的浪湧電流 - CTIMES

EMI濾波器輸入線路端包含了一些電容，同樣直流－直流轉換器在輸入和輸出端也含有電容，負載端有可能含有其它的附加電容及雜散電容。當電源啟動時電流對其 ...

#73. 提升低電壓同步降壓轉換效能堆疊式MOSFET成效卓著 - 新通訊

然而，RDS(ON)逐漸提升會降低效益，低RDS(ON)裝置則有極大的寄生電容，而無法發揮提升功率密度所需的高頻率運作。 矽晶片及封裝技術的進展，使得封裝縮小 ...

#74. 寄生電容什么是“寄生電容”？寄生電容與三種電容器！ - Bosswu

諧振頻率之後，寄生電容阻抗低於電感阻抗，於是等效阻抗開始下降電感之阻抗實測圖右 ... 頻譜基礎所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性 ...

#75. MOS管的知識，看這一篇就可以了

由於生產工藝，一般的MOS管會有一個寄生二極體，有的也叫體二極體。 ... 的干擾，只要少量的靜電，就能使G-S極間等效電容兩端產生很高的電壓，如果不 ...

#76. AN-9005 快速开关超结MOSFET 的驱动和布局设计

由. 于功率MOSFET 是栅极控制型器件，所以实现平衡的重. 点在于优化栅极驱动电路。最大限度地减少印制电路板. 上的寄生电感和电容同样重要。 栅极电阻的影响.

#77. 功率MOSFET结构及特点-综合电源技术

这种结构工艺简单，单元的一致性较好，因此它的跨导的特性比较好，雪崩能量比较高，同时寄生电容也较大，主要应用于高压的功率MOSFET和开关频率不太高 ...

#78. MOS管G極串接二極體作用,MOS管上的二極體什麼作用

由於mos管是電壓控制元件，此電容的存在必然會對mos管的高頻. ... 要考慮二極體的單向導通性，主要是其保護作用，g,s間的寄生電容較小，通常在幾pf ...

#79. LC振荡电路以及考虑寄生参数时MOS管开通关断分析 - CSDN ...

首先我们可以知道MOS管高频下的模型如下图所示，其中Rg是驱动电路后加的，之后会有说明，Lg是栅极寄生电感，Cgd、Cds和Cgs分别为极间寄生电容。

#80. MOS管的寄生电容是什么？如何测试mos管的寄生电容？ - AOS

MOS 管的寄生电容是什么？寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感， ...

#81. 【問題】MOSFET電路設計問題 - 巴哈姆特

無名氏 因為MOSFET的gate會有寄生電容，所以Driver關閉時寄生電容會放電，如果走原本的R1的話，放電速度會比較慢，你的開關速度就會變低.

#82. MOS管的應用及驅動電路的介紹 - 看看文庫

寄生電容 的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些,但沒有辦法避免,後邊再詳細介紹. 在mos管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個寄生二極體.

#83. MOS管驅動電路有幾種，看完就明白了 - 中國熱點

①查看電源IC手冊的最大驅動峰值電流，因為不同晶片，驅動能力很多時候是不一樣的。②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大 ...

#84. mos 電容MOSFET動態輸出電容特性分析 - Prxbri

寄生電容 的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，黃光 ... mos管的三個管腳之間有寄生電容存在，如果要有精確且穩定的電容值的話，分別進行 ...

#85. MOS管寄生电容是指... - EDA365

MOS 管寄生电容是指... 2019-12-30 16:52| 查看: 710| 评论: 0. 摘要: 寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于 ...

#86. 找MOSFET 並聯電容相關社群貼文資訊

圖片全部顯示。 [PDF] MOSFET 并联（并联功率MOSFET 之间的寄生振荡）。 2017年8月21日· VSurge 导致的振荡电压通过MOSFET 的漏栅电容Cgd 传输到栅极，与栅极线路的杂 ...

#87. 基于CBCM方法的MOSFET寄生电容测量方法设计 - 学位论文库

CBCM 寄生电容测量自微分多通道MOSFET. ... 一种是自微分(Self-Differential,SD)CBCM方法,用于单个微分电容,如MOSFET栅电容的精确测量。这种方法有两个优点, ...

#88. 以高性能SiC MOSFET設計電力電子

SiC-MOSFET作為單極元件，其動態性能很大程度上取決於電容。與輸入電容Ciss相比，該元件具有較小的閘-汲反向電容Crss。這有利於抑制寄生 ...

#89. MOSFET及MOSFET驅動電路總結 - 研發互助社區

MOS 管的三個管腳之間有寄生電容存在，如右圖所示。這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法 ...

#90. 功率MOSFET輸出電容的非線性特性::新聞::WPG網站 - 大大頻

null 1、前言功率MOSFET的資料表中有三個寄生電容：輸入電容Ciss、輸出轉移電容Crss.

#91. 矽功率MOSFET在電源轉換領域的發展已經走到盡頭了嗎？

在低開關頻率時，必須使用大的濾波電容和電感，以便從想要的信號中消除載波頻率。大值的濾波元件不僅增加了放大器的成本和尺寸，還會造成相移，從而降低系統的穩定性，限制 ...

#92. 節能高效的最佳男主角-DR-MOS | ProPowertek宜錦科技

Doctor MOS也稱DR-MOS，是將驅動IC(Driver)、High Side MOS和Low Side MOS， ... 與分離獨立的元件相較，DR-MOS可大幅度降低寄生電容電感，進而降低開關損耗， ...

#93. 寄生電容— Google 藝術與文化

寄生電容 ，也稱為雜散電容，是電路中電子元件之間或電路模塊之間，由於相互靠近所形成的電容，寄生電容是寄生元件，多半是不可避免的，同時經常是設計時不希望得到的 ...

#94. 電源開關的電阻電容(RC) 緩衝器設計 - DigiKey

由於PCB 佈局和安裝，Cp 包含開關的輸出電容和雜散電容。 Lp 含有PCB 佈線的寄生電感和MOSFET 引線電感。 來自電源元件的寄生電感和電容會形成濾波器，在 ...

#95. 為什麼需要MOSFET驅動器,MOSFET為什麼要驅動電路 - 多學網

為什麼需要MOSFET驅動器,MOSFET為什麼要驅動電路,1樓匿名使用者要驅動大容量mosfet需要提供短時瞬間 ... mosfet的gs間有寄生電容存在瞬間汲取電流較大 ...

#96. 功率金氧半電晶體(Power MOSFET) 之簡介 - 台灣電子材料與 ...

Power MOSFET ( 功率金氧半場效. 電晶體) 在發展初期是以水平式 ... 圖二：Power MOSFET 應用上所需之電壓與電流. Voltage (V) ... 電晶體的輸入寄生電容示意圖，其大.

#97. 寄生電容rc delay 第6章

所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。 MOSFET的開關特性在功率轉換中，MOSFET基本上被用作開關。

#98. 資訊類篇名： 高頻米勒效應之分析作者

二、BJT 與FET 放大器之高頻響應（Frequency Response） . ... 對FET 而言，其寄生電容主要來自於G-D 極間的Cgd 以. 及G-S 極間的Cgs 之電容效應，如圖2 所示。