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mosfet vds是什麼 在 Bryan Wee Youtube 的評價

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mosfet vds是什麼 在 Travel Thirsty Youtube 的評價

Travel Thirsty By Travel Thirsty

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mosfet vds是什麼 在 スキマスイッチ - 「全力少年」Music Video : SUKIMASWITCH / ZENRYOKU SHOUNEN Music Video Youtube 的評價

スキマスイッチ - 「全力少年」Music Video : SUKIMASWITCH / ZENRYOKU SHOUNEN Music Video By スキマスイッチ - 「全力少年」Music Video : SUKIMASWITCH / ZENRYOKU SHOUNEN Music Video

2008-12-08 16:27:04 有 71,179,683 人看過 有 185,567 人喜歡
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mosfet vds是什麼 在 [問題] 關於MOSFET - 看板Electronics - 批踢踢實業坊 的八卦


作者sillyquans (Jim77639)
看板Electronics
標題[問題] 關於MOSFET
時間Mon Oct 19 13:32:59 2020

目前使用MOSFET有一些特性詢問

如 Vds = Ids x Rds(on)

如果將Vds電壓一直往上加的話

在電流固定情況下，Rds會超出spec給的值嗎?

實驗上Vds = 14V、Ids = 20mA,計算Rds得到700歐姆 > 5(spec max.)

還請解惑 感謝

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 211.23.163.140 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1603085583.A.281.html
→ samm3320: 你在固定IDS的情況下，沒辦法控制VDS往上加 10/19 16:10
→ samm3320: 除非你去調VGS 10/19 16:11
推 kdjf: 你的Vgs不是spec給的turn on範圍 10/19 16:28
推 pcv510: 直接拿一刻來玩 10/19 19:20
推 jeffic0730: 你應該想反了喔，Rds(on)就是已經把MOS打開後的阻抗 10/19 23:38
→ jeffic0730: 值，你把MOS打開後，max最大就是5mohm，然而Rds的阻 10/19 23:38
→ jeffic0730: 抗值跟Vgs電壓有關。另外，你只能給一個電源，沒辦法 10/19 23:38
→ jeffic0730: 給電壓源14V又給電流源20mA去求電阻，因為照你這樣做 10/19 23:38
→ jeffic0730: ，我把MOS換成導線，這樣阻值算起來也是700？ 10/19 23:38
→ cmosdigital: Vds一直往上加 電流怎固定？ 10/20 00:15
→ sillyquans: 我是analog output應用,目前能控制0~20mA 10/20 01:10
→ sillyquans: 當Vds從0慢慢加到14V,電流依舊維持20mA 10/20 01:12
→ sillyquans: 關於Vgs部分，透過OPA來調整GS偏壓，使其導通 10/20 01:13
→ sillyquans: 我實際應用是24V -》mosfet Vds -> 500歐姆 10/20 01:15
→ sillyquans: 控制20mA流入500歐姆，此時Vds為14V 10/20 01:16
→ sillyquans: 如果我在24V先串700歐姆的話，Vds為1V 10/20 01:17
→ sillyquans: 這兩個差異在於電壓降是在700歐姆還是Mosfet 10/20 01:18
→ sillyquans: 如果是在MOSFET上，則Ploss = Vds x Ids 10/20 01:19
→ sillyquans: 但Vds = Ids x Rds(on)，明顯Rds超出spec 10/20 01:19
→ god145145: ON 10/20 07:19
→ cmosdigital: Vds從0到14V 請問Vds=0的時候 如何有20mA電流？ 10/20 09:09
→ cmosdigital: Vgs是保持定值還是越來越大或小？ 10/20 09:10
→ cmosdigital: 你的偏壓方式導致MOSFET的串聯電阻效應出現 通常MOSF 10/20 09:14
→ cmosdigital: ET的spec會大略寫測試手法 10/20 09:14
→ cmosdigital: 另外 你probe電壓的位置在哪？ 10/20 09:15
→ samm3320: spec on一定會定義VGS的值，不然要怎麼定義什麼叫做on 10/20 09:32
→ samm3320: 你用op控制mos只開一點點阻值當然會比較大 10/20 09:33
→ samm3320: mosfet本質上就是電壓控制的可變電阻 10/20 09:41
→ samm3320: 你調整VGS鎖住電流去對RDS on的spec本來就是沒意義的動 10/20 09:43
→ samm3320: 作 10/20 09:43
→ cmosdigital: 是的 Vgs和spec上不同探討超過spec是沒有意義的 10/20 09:48
→ yiting428: 建議你去複習電子學 10/20 12:14
→ yiting428: 還有建議你po電路圖，因為目前來看你的文字敘述有矛盾 10/20 12:20
→ yiting428: 存在 10/20 12:20
→ sillyquans: 實際電路轉模擬 10/20 16:17
→ sillyquans: 當接上695歐姆後，計算得到Rds(on)為4.9 < 5(spec) 10/20 16:18
→ sillyquans: 如果把695歐姆拿掉的話，Vds為24-10 = 14V, 會變燙 10/20 16:19
→ sillyquans: 這已經是產品化了，我只是想探討沒接695歐姆時 10/20 16:20
→ sillyquans: 此時Rds(on)=Vds/Ids,會得到非常大的值,是否合理? 10/20 16:21
→ samm3320: 這種接法去看Ron根本沒意義啊，VDS被你調大以後，OP會稍 10/20 17:03
→ samm3320: 微調低VG讓你VS保持在VREF上，VGS都不一樣要怎麼比。 10/20 17:03
→ sillyquans: Hi Samm大，我有另回文附上電路圖 10/20 17:10






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其二為MOS導通切換損失大，決定MOS導通切換損失的三個因素是Vds電壓大小、MOS導通切換速度和切換頻率。 其中Vds電壓大小方面，因MOS源極和汲極之間及 ...

#68. MOS管怎么用？从认识米勒效应、开关损耗

R6下拉电阻是必须的（取值一般10--20k），原理和NPN三极管下拉电阻一样。 此类应用的MOS管Vgs电压大于门槛电压4.5V（又叫平台电压）即可正常使用。小 ...

#69. 桥式电路相关的Gate-Source 电圧的动作

下图（Figure 3）是这个动作HS 和LS 的MOSFET 的. Drain-Source 电圧（VDS）、漏极电流（ID）波形的大致形状。 下述波形是电感L 电流的连续动作，即硬开关状态。

#70. 171-177,1996 - 一種精準的MOSFET 臨限電壓量測方法

此新方法稱為基底電荷變動方法(BCV Method),它是基於汲極電流包含從 ... 相當多,因此本論文只針對MOSFET 元件 ... Vds 就可得到不同得K值,而Vds 是從.

#71. 如何利用IT2800 源表快速实现MOSFET 器件的I-V 特性测试

转移特性是验证的是栅极电压VGS 对ID 的控制作用，其表征了器件的放大能力。对于恒定的VDS，. VGS 越大，则沟道中可移动的电子越多，沟道电阻越小，相应的ID ...

#72. MOS管开关时的米勒效应！ - 手机21IC电子网

因为Vds近似线性下降，线性的微分是个常数，从而在Vgs处产生一个平台。 米勒平台是由于mos 的g d 两端的电容引起的，即mos datasheet里的Crss 。

#73. MOS各个参数详解 - 深圳市中电华星电子技术有限公司

是指栅源电压VGS 为0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS . 它具有正温度特性.故 ...

#74. MOSFET | PDF - Scribd

零 跨過氧化層的電壓是均勻的並 Q: vOV 在n型通道內的影響為何？ 等於vGS A: 當vOV 增加，n通道的深度 與傳導率也會. 14 5.1.4. 低vDS ...

#75. 半导体概念科普——MOSFET是什么：工作原理及其应用 - 技术邻

当Vgs>Vth，Vds<Vgs-Vth 时，分析同上曲线左侧，电流Id随Vds上升而上升，为可变电阻区。 当Vds>Vgs-Vth 后，我们可以看到因为DS之间的电场开始导致右侧的 ...

#76. 請教電子學大大mosfet 三極區id 公式有兩種？ - Mobile01

這兩個公式有什麼差別⋯⋯？ 這應該很好理解吧，簡單講就是(Vgs - Vt)Vds 與Vds ^ 2 在計算是時存在有兩 ...

#77. 全面认识MOS管，一篇文章就够了 - 腾讯云

在一定的Vds 下，D 极电流Id 的大小是与G 极电压Vgs 有关的。 我们先来看一下MOS 管的输出特性曲线，MOS 管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止 ...

#78. 一文详解-MOS管的半导体结构

这是MOS管电流Id随Vgs变化曲线，开启电压为1.65V。下图是MOS管的IDS和VGS与VDS 之间的特性曲线图，类似三极管。 一文详解-MOS管的 ...

#79. 一文看懂功率MOS管的每一个参数！ - 立创商城

VGS (th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断MOSFET时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。正常情况下，所有 ...

#80. Vdsat、Vov、Vds聯繫與區別 - 科技始終來自於惰性

Vov：過驅動電壓overdrive voltage，Vov=Vgs-Vth，過驅動電壓也用Vod表示Vds… ... Vov=Vgs-Vth,用MOS的Level 1 Model時，不考慮短溝道 ...

#81. 半導體元件電晶體的演進

不論是何種電晶體，在電特性上須展. 現出明顯的轉阻特徵。以n 通道金氧半場. 效電晶體為例，當閘極偏壓（VGS. ）小於臨. 界電壓（VT. ）時，電晶體是「關」；當閘.

#82. 如何在電壓控制電路中使用FET - 電子技術設計 - EDN Taiwan

對於歐姆、三極管或線性區的N通道JFET，公式(1)至(5)僅在Vp ≦ Vgs ≦ 0V時有效。 電導gds是透過求Id關於Vds的導數得到。 20182726TA01P4-1. 電阻R ...

#83. Modern VLSI Devices研讀小組 - 心得報告

鄭：Ex是x方向的電場，L的距離壓降是Vds，所以將代入學長所說的公式，可以得到， ... 鄭：將修正後的電場帶入電流公式，可以得到，這樣就推得了MOSFET ...

#84. MOS管和三极管做开关用法比较 - 电子技术应用

MOS 管（MOSFET）的压降. 是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*RDS(on)的电压。VDS表示场效应管的漏极和源极的电压，G表示栅极，I表示流过DS的 ...

#85. 電晶體 - hardsac.online

理想的MOSFET電流-電壓特性. 當VGS改變，iD-VDS曲線也會跟著改變，如圖3.1. 在電磁學裏， 電位移是出現於馬克士威方程組的一種向量場，可以用來解釋介 ...

#86. 高中電子學_場效電晶體_單元3 D-MOSFET之結構特性及直流偏 ...

DeltaMOOCx 台達磨課師是高中/高工及大學的免費公益磨課師（MOOCs）平臺。練習題、討論、教師輔導及更多數位課程資源， ...

#87. SSF5508A - Datasheet - 电子工程世界

Advanced trench MOSFET process technology ... VGS. dv/dt. EAS. IAR. TJ TSTG. Parameter. Continuous Drain Current, VGS @ 10V①. Continuous Drain Current, VGS ...

#88. 使用PyTorch时，最常见的神经网络错误- 面包板社区

这篇文章将逐点分析这些错误是如何在PyTorch代码示例中体现出来的。 ... VDS2受浪涌影响超过二次侧MOSFET的VDS耐压的对策. 继“当二次侧MOSFET立即关断 ...

#89. 新電子 05月號/2019 第398期 - 第 32 頁 - Google 圖書結果

... 是 VDS ,GaN HEMT明顯較Super junction MOSFET快。在低V DS 時,Super junction MOSET的Coss 急劇上升,造成VDS在開始和結束階段的波形都呈現緩慢爬升或是緩慢下降, ...

#90. 應用電子學 - 第 279 頁 - Google 圖書結果

iD = 77.6 - 86 = -8.4μA 因此,∆V GS = + 0.01V,∆i D = 8.8μA ∆VGS = -0.01V,∆i D = -8.4μA 以上 2 個∆VGS 的改變對∆iD 的變化量,幾乎相同,因 MOSFET 在近線性區 ...

#91. 112年電子學[國民營事業] - 第 127 頁 - Google 圖書結果

Fig4.1 顯示 n 通道增強型 MOSFET 的物理結構 Source ( S ) :源極, Gate ( G ) :閘極, ... 不加閘極電壓之操作( Operation with No Gate Voltage ) VDS + 如圖 2 所示, ...

#92. 高中電子學實習_金氧半場效電晶體(MOSFET)之判別_閘極、汲極

閘極#汲極#源極接腳DeltaMOOCx 台達磨課師是高中/高工及大學的免費公益磨課師（MOOCs）平臺。練習題、討論、教師輔導及更多數位課程資源， ...