mosfet寄生電容計算的八卦，PTT、MOBILE01和 Yahoo名人娛樂都在討論：

#11. mos管寄生电容测试、特性与问题解析

在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有 ...

#12. 了解智能栅极驱动器(Rev. D) - 德州仪器

图1-2 所示为一个常见的MOSFET 模型，其中突出显示了端到端电容和栅极电阻。 ... 参数和方程式计算出精确的MOSFET VDS 压摆率，需要对MOSFET、电路板和封装寄生效应.

#13. MOS管损耗-面包板社区 - 电子工程专辑

... 乘以匝比， Ib 为变压器初级侧绕组层间寄生电容在MOSFET 开关开通瞬间释放的电流) 。这个难以预计的数值也是造成此部分计算误差的主要原因之一。

#14. MOS管驅動電阻怎麼選擇 - 道客文檔

... 怎麼選擇,mos管驅動電阻怎麼選擇給定頻率mos管的qg和上升沿怎麼計算用多大電阻首先得知道輸入電容 ... mos管的等效電路模型及寄生引數如圖1所示。

#15. MOSFET 栅极驱动电路

图1.3 MOSFET 中的电容. 图1.4 栅极电荷（电阻负载）. 1.2.2. 计算MOSFET 栅极电荷. MOSFET 开启期间，电流流到其栅极，对栅源电容和栅漏电容充电。

#16. SIC MOSFET的损耗计算，寄生电容的分阶段模型影响大吗

兄弟们，我想利用数学模型计算SIC MOSFET的损耗，自己推导公式如下，计算结果与datasheet的Eon结果偏差太大，看论文中考虑了寄生电容的非线性，采用了 ...

#17. IGBT 以及MOSFET 的驱动参数的计算方法

IGBT 以及MOSFET 的驱动参数的计算方法 ... QGate 绝不能从IGBT 或MOSFET 的输入电容Cies 计算得出。 ... 门极电流的减小是由于门极回路中的寄生电感导致的。

#18. 一文了解MOS管寄生电容是如何形成的？

MOS 管规格书中有三个寄生电容参数,分别是:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。该三个电容参数具体到管子的本体中,分别代表什么?

#19. 所谓MOSFET-寄生电容及其温度特性 - 英语

继前次硅电晶体的分类和特徴，基本特性之后，接着我想追加说明目前被广泛用来作为功率切换的的Si-MOSFET的特性。 MOSFET的寄生電容. MOSFET在构造上存在有下图般寄生的 ...

#20. 寄生電容- 維基百科，自由的百科全書

寄生電容 （parasitic capacitance），也稱為雜散電容，是電路中電子元件之間或電路 ... 功率MOSFET（Power MOSFET）的寄生電容可能會比較大，若直接利用微控制器的輸出 ...

#21. 栅极电容计算公式 - CSDN

顶部FET Q1的寄生电容CGD的充电和放电及电荷QGD决定大部分Q1开关时间和相关损耗。在同步降压转换器中，底部FET Q2开关损耗很小，因为Q2总是在体二极管传导后导通，在体 ...

#22. 功率MOSFET基础知识详解 - 大大通

如图3所示，有多个与功率MOSFET相关的寄生电容。 ... 在良好的电路设计中会使用高于绝对最小值的栅极电压，因此，在计算时使用的栅极电荷为在t4时的QG ...

#23. Chapter 7 Frequency Response - 正修科技大學

KFrequency response: The FET ... 電晶體、寄生及負載電容需考慮在高頻等效電路內. 當f趨近中頻區，因電容趨近 ... 同上求法可得，因相距不遠使得計算令人懷疑，但頻.

#24. EL3120 IGBT Gate Drive Optocoupler 應用手冊 - 億光電子

特性，具有MOSFET 快速開關與BJT 高電流導通的性能，此外，IGBT 具有較低的導通 ... 圖3 為IGBT 寄生電容示意圖。 ... 驅動器(IGBT Gate driver: EL3120)功率損耗計算.

#25. mos 電阻公式

選好額定電流後，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOSFET並不是理想 ... MOSFET的寄生電容MOSFET在構造上存在有下圖般寄生的静電容量。下圖雖然以N-ch MOSFET為例， ...

#26. MOS管的寄生电容是什么？如何测试mos管的寄生电容？_电子 ...

MOS 管的寄生电容是什么？寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个 ... 在计算中我们要考虑进去。

#27. 提升並聯使用氮化功率元件可靠度- 電子技術設計 - EDN Taiwan

進一步了解GaN HEMT的參數和特性，才能找出合適量測的方法及確保可以安全地使用GaN HEMT。有別於矽MOSFET元件，GaN HEMT的等效寄生電容相對小，如果使用 ...

#28. MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的？ | 贸泽工程师社区

我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生 ...

#29. 这28个MOSFET应用问答，工程师随时可以用得上！ - 电路城

具体的计算步骤是：设定最大的浪涌电流Ipk，最大的输出电容Co 和上电过程中 ... 2、雪崩损坏MOSFET 有两种情况：一种是快速高功率脉冲，直接使寄生 ...

#30. mos 電容計算

想請問一下layout mos電容值的計算方法不太懂位什麼mos能夠製作成電容謝謝標籤： mos ... 圖(一) MOS 寄生電容示意圖電子實驗(下) Lab 1 – 2 – 二、HSPICE 計算方式： ...

#31. MOSFET 并联（并联功率MOSFET 之间的寄生振荡）

VSurge 导致的振荡电压通过MOSFET 的漏栅电容Cgd 传输到栅极，与栅极线路的杂散电感L 形成谐. 振电路。 高电流、高速MOSFET 的内部栅极电阻极小。在无外部 ...

#32. 开关电源MOS的8大损耗计算与选型原则！ - 時科SHIKUES

... 乘以匝比， Ib 为变压器初级侧绕组层间寄生电容在MOSFET 开关开通瞬间释放的电流) 。这个难以预计的数值也是造成此部分计算误差的主要原因之一。

#33. AN-9005 快速开关超结MOSFET 的驱动和布局设计

由于寄生电容较小，这些超级结MOSFET ... MOSFET 是单极器件，寄生电容是开关转换的唯一限制 ... 计算. MOSFET 输出电容中存储能量的方法是，在导通转换之.

#34. MOSFET驱动电阻计算.pdf

常用的MOSFET 驱动电路如下图所示： ... 三个寄生电容。 驱动电阻下限值的计算原则为：驱动电阻必须在驱动回路中提供足够的阻尼，来阻尼. MOSFET 开通瞬间驱动电流的 ...

#35. 利用示波器量測電源供應器切換損耗 - Tektronix

如圖3b 所示，閘上的寄生電容會減慢裝置的切換 ... 時，MOSFET 汲極與源極間的寄生電阻便會消耗功率。 ... 號所計算出的值，所以訊號務必要與進行適當的時. 間校準。

#36. 开关电源MOS的8大损耗计算与选型原则！

在此上的基本原则为MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件 ... 以匝比， Ib 为变压器初级侧绕组层间寄生电容在MOSFET 开关开通瞬间释放的电流) 。

#37. 消除Buck轉換器中的EMI問題

當上橋MOSFET Q1被關斷的時候，電感電流會對Q1的寄生輸出電容進行充電，同時對Q2的 ... 對於這種重複出現的開關切換信號而言，使用示波器的FFT功能進行計算並看到測量 ...

#38. 再谈米勒平台和线性区：为什么传统计算公式计算超结MOSFET ...

开关过程中，高压超结结构寄生电容的突变非常大，产生急剧的dV/dt突变，容易产生振荡和EMI的问题，这也是超结结构固有特性，需要仔细的设计驱动电路。 (1 ) ...

#39. MOS管驱动电路的设计 - 铝电解电容器-薄膜电容

注2：Cgd，Cgs，Cds为mos管的三个寄生电容，在考虑mos管开关瞬态时，这三个电容的影响 ... 驱动电阻下限值的计算原则为：驱动电阻必须在驱动回路中提供足够的阻尼，来 ...

#40. AN1471 - Microchip Technology

一种快速精确的方式来计算系统功率损耗，以及系统的 ... MOSFET也以开关方式传输转换器的完全负载电流，所 ... 给出了MOSFET 寄生电容的图示。

#41. 功率MOSFET基础-深圳市芯电元科技有限公司

MOSFET 的开关特性受器件三个管脚的寄生电容的影响，也就是栅极源极电容CGS，栅极漏极电容CGD ... RθJL还是RθJC，PD是器件的耗散功率，可以从输入的电流和电压来计算。

#42. LLC谐振变换器主电路参数计算和MOS管寄生电容的解释(仙童 ...

确定变压器匝比 计算负载等效电阻 计算励磁电感（死区期间寄生电容充放电能量守恒） 得到谐振参数 计算电感系数和品质因数（1.LnQ与励磁电感的关系2.

#43. 并联电路E 类逆变器软开关特性研究

情况下ꎬE类功率放大器寄生电容对于系统的影. 响ꎬ而且计算方法复杂ꎮ. 在高频状态下考虑MOSFET的非线性漏－源. 寄生电容对于E 类逆变器实现 ...

#44. LC振荡电路以及考虑寄生参数时MOS管开通关断分析

Crss=Cgd，而且这三个寄生参数主要与Vds有关。 在这里插入图片描述 如何理解输入电容、输出电容和反馈电容呢？ 我们都知道GS是MOS管输入端，DS是MOS管输入端，当计算 ...

#45. MOS管选型及应用

寄生电容 的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。

#46. 一种三维mos器件栅围寄生电容模型获取方法 - Google Patents

本发明提出的模型纳入了多介质材料的实际情况，从而能精准地计算三维MOS器件栅围寄生电容，所需拟合参数少，适用性广泛。

#47. AN4671 应用笔记如何调整碳化硅MOSFET 驱动减少功率损耗

因此，关键要以怎样的方式驱动碳化硅MOSFET，以促进尽可能低的传导损耗和开关损耗，这 ... MOSFET 的寄生电容CGD 充电的充电电流，此电流通过米勒电容，栅极电阻和CGS ...

#48. MOS管驱动电路功率损耗的计算方法 - 电子设备知识网

每当MOS开通或者关闭时，其栅源米勒寄生电容就会发生充放电，所以开关损耗和开关频率以及寄生电容的大小有关，一般来说寄生电容和MOS大小成正比，体积 ...

#49. 四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...

電容 的半導體和氧化層介面處吸引 ... MOS結構的電容Cox：因為用MOS結構在半導體與氧化層間之介面 ... 這裡我們先計算υDS很小的情形，即通道載體分佈均勻的情形。

#50. 氮化鎵功率電晶體的基礎 - EPC Co

開始計算。宜普公司的製程技術， ... MOSFET則是1.7倍。這個優勢會隨着電壓增. 加而增強。 電容. 氮化鎵電晶體的橫向結構使其具極低電荷特 ... 常見的寄生雙極介面。

#51. MOSFET/IGBT 的驱动理论与应用

图(3A)表示一个N沟道MOSFET的符号和有三个内部寄生电容CGS, CGD和. CDS的等价模型。 ... 为了计算这些电容的平均有效值,可以基于建立电容电压所需的电.

#52. MOSFET 的CV 曲线仿真方法 - Return To Innocence | 事如春梦 ...

下图是实现MOSFET C-V 曲线的仿真的具体电路（图中加上的电容C1 仅为方便 ... 时计算栅节点的所有电容, 得到的结果与上面ac 分析的方法也是一致的, ...

#53. 缓冲电路的设计方法

近几年，SiC MOSFET 作为各种各样的电源应用和电源线的开关元件，其应用范围在迅速地扩大中。 ... 在LS 侧漏极源极之间LMAIN 和MOSFET 的寄生电容COSS.

#54. mos管寄生电容大小 - 天天知识网

基于寄生电容的MOS等效模型之间或电路模块之间,由于相互靠近所形成的电容,是设计时不希望得到的电容特性,一般来说在低频应用中我们一般不考虑,但是对于MOS管驱.

#55. Hspice仿真工作点后，手动计算时MOS的寄生电容该用哪个？

请教大家个问题，如果想要手算小信号，用到MOS的Cgs、Cgd、Cgb、Cdb、Csb等电容时，该用工作点得到的哪些电容值， ...

#56. 電源開關的電阻電容(RC) 緩衝器設計 - DigiKey

在MOSFET 上焊接100 pF 低ESR 薄膜電容。 ... 求得寄生電感Lp 和寄生電容量Cp 後，即可依據下列計算方式選擇緩衝器電阻Rsnub 和電容Csunb。 方程式 4

#57. 基于半解析法MOSFET寄生电容的研究-手机知网

因此,器件设计者可以根据计算结果选择最合适的器件参数,设计出满足需要的最小寄生电容的MOS器件。本文提出的半解析法求解MOSFET寄生电容的过程,没有使用任何近似, ...

#58. 为什么传统公式计算超结MOSFET开关损耗无效？ - 电源网

在开关过程中,功率MOSFET跨越放大区(线性区),形成电流和电压的交叠区,从而产生开关损耗, ... 可以看到，米勒平台振荡的过程就是因为寄生电容的 ...

#59. 【龙腾原创】跟庄主一起读论文-关于MOSFET的开关损耗计算 ...

此文提供了一种精确的解析模型来计算MOSFET的功率损耗，包括了器件上的寄生电容,寄生电感,比如牵涉到功率级和驱动环路的源极电感，而且寄生电容，漏极 ...

#60. 功率MOSFET 基础：了解MOSFET 与品质因数有关的特性

本应用指南详细介绍了沟槽MOSFET 结构的基本结构，进而确定了寄生元件，定义了相关术语。 ... 这些数值可以计算出输入电容、 输出电容和反向传输电容，如表1 所述。

#61. 功率MOS管主要参数

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻， ... 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是 ...

#62. 使用最小線間距之低功率高速晶片內部匯流排電路設計Low ...

器之寄生電容，CC1 與CC2 則為. R1. R2. R3. CC1. CL1. CL2. CL3. Vi1. Vi3. Vo1. Vo2. Vo3. CC2. 圖4.8 正向突波模型. 我們先計算Vi1 對Vo2 造成的影響，之後再依據 ...

#63. 【Maker電子學】I2C 界面解密— PART 7 拉起電阻

精確的計算模型非常複雜，但一般來說只要板子的尺寸不大，線路不要走太長，PCB 走線本身的寄生電容跟IC 的輸入等效電容比起來都小到可以忽略。

#64. MOS管寄生电容是指... - PCB资讯- EDA365电子论坛网

寄生电容 是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个 ... 在计算中我们要考虑进去。, y" y1 T0 r; g6 e!

#65. 浅析MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响

如果MOSFET已经选定，谐振腔需要仔细计算、调试和设定，并选取合适的死区时间，来覆盖所有负载的应用范围。实际应用中对于稳态运行的硬开关都可以通过设计 ...

#66. 晶體三極體放大電路和MOS管工作原理_電子發燒友網

MOS 管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制 ... 因此在實際設計時，Cboot的取值要大於式（5）的計算結果，這樣可以 ...

#67. 安捷倫科技- 參數量測手冊第三版 - Keysight

MOSFET 參數計算範例. ... 可重複性(又稱為精密度) 是對重複量測值或計算值達到 ... 圖2.8：三軸電纜的橫剖面顯示遮罩與保護，以及保護與信號之間的寄生電容.

#68. [轉] 高頻mos 選擇需要考慮相關資料

再說下MOS管的寄生電容對效率的影響把，這個涉及的比較多了。 ... 本文詳細分析計算開關損耗，並論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷 ...

#69. 应用指南AN-978 - 高压悬浮门驱动IC

高端MOSFET的门电荷是由自举电容提供的，当器件关断时，在这段时间内（假设在大 ... 数据的读出应该如图4所示那样直接在IC的引脚进行，从而驱动耦合电路中的寄生影响.

#70. 104年公務人員初等考試試題 - StudyBank

可以使用電子計算器。 ... 試求電容C 的充電頻率為何？ ... 36 如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2 和CS，MOSFET 的寄生電容為Cgs 和Cgd。當電壓增益的絕對值V.

#71. [转] 高频mos 选择需要考虑相关资料- ramlife - 博客园

那个公式是对的，是频率越高开关损耗越大。但你的频率高了，更应该选寄生电容小的MOS，这样才能有效减小开关损耗，提升效率！ 个人觉得 ...

#72. LLC参数计算和MOS管寄生电容的解释(仙童手册)-电源技术相关资料 ...

LLC参数计算和MOS管寄生电容的解释(仙童手册)pdf. 1星 发布者: sigma. 2022-01-25 | 1积分 | 35.35KB | 0次下载. 下载 收藏 评论. 文档简介. 标签： 电源.

#73. mos电容计算公式-mos管电路工作原理详解-电子技术 - 电工屋

好处是明显的，应用时抛开了负电压。 解释7：寄生电容. 上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容，越是高品质的mos， ...

#74. mos 電容MOSFET動態輸出電容特性分析 - Prxbri

圖2：根據公式2計算的超接面輸出電容. 使用有效電容 詳細分解開關電源 MOS 管的開關過程- 每日頭條 本論文透過簡單的製程，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的 ...

#75. 图解MOSFET的寄生电容、VGS的温度特性 - 合晶芯城

MOSFET 的寄生电容和温度特性 在构造上，功率MOSFET都存在寄生电容。 ... 其中，界限值随温度升高而下降，通过观察界限值电压变化，能够计算元件的通道 ...

#76. 功率MOS FET 功率MOS FET的特性 - Renesas

在实际的器件中，截止频率受到栅极寄生电阻和输入电容的限制。 ... 图8是将具有硅栅的功率MOS FET的各参数（计算值）代入到公式(1)，分别计算出纵向/ ...

#77. mos 電容計算單元十四:MOSFET特性 - Lwovby

PDF 檔案圖(一) mos 寄生電容示意圖. 電子實驗(下) lab 1 – 2 – 二，由聚積狀態時的電容值我們換算出SC1前處理未退火ヽ經過600℃ 和800℃退火後的二氧化鉿薄膜電容等效 ...

#78. 所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性 | 健康跟著走

表中的Ciss、Coss、Crss三項參數與這些寄生電容﹙parasitic capacitance﹚有關，一般常見於MOSFET數據表中，且在靜態特性和動態特性分開 .

#79. 开关电源MOS的8大损耗计算与选型原则 - 微碧半导体

有效减少MOS管损耗的方法-开关电源MOS的8大损耗计算与选型原则 ... 电源中，对大的MOS管进行开关操作时，需要对寄生电容充放电，这样也会引起损耗。

#80. 寄生電容公式PCB焊盤寄生電容的計算公式與設計標準 - CHCHL

PCB焊盤寄生電容的計算公式與設計標準電子發燒友為您提供的PCB焊盤寄生電容的計算公式與設計標準，在布線較 ... CTimes - 準諧振反馳式電源設計探討: - MOSFET，電路板

#81. 寄生電容計算PCB過孔的寄生電容和電感_百度文庫 - Cvyup

下圖為N-ch MOSFET的例子，與P-ch的思路相同。這 寄生電容 與 寄生 電感的測量方法- 每日頭條 我們先忽略線路的寄生電容不計，計算看看用4.7 KΩ 的pull–up 電阻來 ...

#82. mos管寄生电容一般多大 - 三人行教育网

MOS 管是一个系列，功率从小到大很多品种，寄生电容各不相同。好比你问：一条船有多长？ ... 网友问题：如何计算MOS管的寄生电容？ 回答作者：起码干净-起码干净.

#83. mos電容器、mos當電容在PTT/mobile01評價與討論 - 房產建案 ...

先通过计算得到MOSFET 截止时所承受的漏源电压VDS(off) ，在查找器件... Ib 为变压器初级侧绕组层间寄生电容在MOSFET 开关开通瞬间释放的电流) 。 四、場效電晶體 ...

#84. mos 電容計算搜尋結果 - 女時尚

mos 電容計算共有165筆什麼是寄生電容,mosfet寄生電容當紅資訊,2013年7月1日- MOSFET 工作原理概述. ... MOSFET 電容行為總結.

#85. MOS电容C-V特性_哔哩哔哩_bilibili

通常 MOS 电容的C-V曲线在高频和低频下表现出不同的特性，但这个现象是绝对的吗，是否与连接方法 ... 能讲一讲电路中任意一节点 寄生电容 的仿真方法？

#86. 面向微系统芯片的建模方法 - 第 153 頁 - Google 圖書結果

在获得 MOSFET 各区域的 PN 结耗尽层厚度后,就很容易计算图 8. 12 中的各个寄生电容, Cor 0XWLp = 0.7CoxWx ; ( 8.23a ) tox Cge CoxW ( L- 2Lp ) ( 8.23b ) Ca ~ € si ...

#87. 超大规模集成电路设计导论 - 第 174 頁 - Google 圖書結果

7.5.2 电容的估算 MOS 电路系统的动态响应,如开关速度深受 MOS 元件的寄生电容及连线电容的 ... 耗尽层电容 Cap 计算如下: Cdep = E Esi A d 其中, d 为耗尽层厚度, ...

#88. 寄生電容計算– Hrizax

2011-11-16 怎样计算两个焊盘之间的寄生电容，回答试验成功有加分2017-08-21 ... 走线寄生电感怎么计算2015-09-18 如何计算MOS管的寄生电容2016-06-01 过孔的寄生电容4 ...

#89. 提升低電壓同步降壓轉換效能堆疊式MOSFET成效卓著 - 新通訊

然而，RDS(ON)逐漸提升會降低效益，低RDS(ON)裝置則有極大的寄生電容，而無法發揮提升功率密度所需的高頻率運作。 矽晶片及封裝技術的進展，使得封裝縮小 ...

#90. 功率电子学: 原理与应用 - 第 228 頁 - Google 圖書結果

这反过来会减慢电路对寄生电容充电的能力。 ... 在 MOSFET 开关电路的计算中,一定要考虑到沟道电阻会随着温度的升高而增大。负载和 MOSFET 的功率都可以通过 P = Dpp ...

#91. 108年電子工程專業科目歷年試題澈底解說: [初考/五等]

C 國考 CP值命題核心 MOSFET的內部電容對頻率響應的影響。 ... 的輸入電壓計算。 ... 由外部的電容(旁路電容,耦合電容)所影響,高頻響應由電晶體內部的電容(寄生電容) ...

#92. 要是无源元件遵循摩尔定律会怎样？-EDN 电子技术设计

当然，还会有一些微亨级的电感寄生效应。这种粗糙但有效的电容器用于RF电路中的级间耦合，如图3所示，并用于增加“刚好足够”所需的电容来调整电路。

#93. mosfet 電流公式導通電阻 - Steur

圖4：以有效輸出電容電流為基礎的測試器由於SiO，從圖中了解mosfet 為四端點結構 ... 小的電流，箭頭方向為電晶體的形式，續流二極體的計算 公式 ）全面– 每日頭條”>

#94. mosfet 公式

表3.1.1 為N 通道增強型MOSFET，各種狀態下的電流電壓公式。 ... MOS 導通耗計算公式說明： Rds(on) 會隨Ids(on)(t) 值和器件結點溫度不同而有所不同，此時的原則是 ...

#95. 常見的MOSFET驅動方式，驅動電路的參數計算 - 菜鳥集運

三是MOS的寄生电容Cgs、Cgd如果比较大，导通就需要大的能量，没有足够的峰值电流，导通的速度就会比较慢。 電流. o4YBAGCfK--AGpbsAADvY0cxrig211.png.