mos寄生電容的八卦，PTT、YOUTUBE和 Yahoo名人娛樂都在討論：

#11. 如何计算MOS管的寄生电容 - 微波EDA网

在电路中，用MOS管接地或者接电源来做电容，请问这种MOS管电容的大小怎么计算呢?主要是Cox和Cov这两种电容如何计算?在Cadence里用Model Parameters 来查看， ...

#12. MOS管基礎知識與應用 - 範文筆記

寄生電容 的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。 在mos管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二 ...

#13. 搞懂MOS管，你不得不知道的米勒效应 - 与非网

MOS 管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。

#14. mos管寄生电容测试、特性与问题解析

mos 管寄生电容是动态参数，直接影响到其开关性能，MOSFET的栅极电荷也是基于电容的特性，下面将从结构上介绍这些寄生电容，然后理解这些参数在 ...

#15. 所谓MOSFET-寄生电容及其温度特性|基本知识

继前次硅电晶体的分类和特徴，基本特性之后，接着我想追加说明目前被广泛用来作为功率切换的的Si-MOSFET的特性。 MOSFET的寄生電容. MOSFET在构造上存在有下图般寄生的 ...

#16. MOS管寄生电容是如何形成的？ - CSDN博客

MOS 管规格书中有三个寄生电容参数，分别是：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。该三个电容参数具体到管子的本体中，分别代表什么？

#17. 图解MOSFET的寄生电容、VGS的温度特性 - 晶体管

为了发挥MOSFET性能优势，用户除了详细阅读产品规格书外，有必要先了解MOSFET的寄生电容，开关性能，VGS(th)(界限値)，ID-VGS特性及其各自的温度特性 ...

#18. mos管寄生电容是什么看了就知道

寄生电容 是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。 ... 不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频情况 ...

#19. MOSFET 的寄生电容

MOSFET 的寄生电容 ... 可以看到, 这里的主要差别在于MOSFET 处于饱和区时, 沟道在漏端夹断, 因此等效的栅电容对Cgs 和Cgd 的贡献不再是1/2 的Ci, 而是近似 ...

#20. MOS的寄生电容- Analog/RF IC 设计讨论 - EETOP

我想知道一个MOS管的栅源电容Cgs，栅漏电容Cgd，源衬底结电容Csb，漏衬底结电容Cdb，我对电路做了一下直流分析，对其中一个管子看了它的直流状态参数，如上图所示， ...

#21. MOS管的通斷過程你都理解透了嗎？

MOS 管作為開關元件，同樣可以工作在截止和導通狀態，由於MOS管是電壓控制元件， ... Mos管的漏、源、柵極間都有寄生電容，分別為Cds、Cgd、Cgs。

#22. mos寄生電容公式 - 軟體兄弟

众所周知，电阻的计算公式是： R=ρ*（L / W*d ） =(ρ/ d )*(L/W ) ... 寄生电容会影响mos系统的开关速度，它们来源于与mos管相关联的电容以及各个连 ...,電容包括接線 ...

#23. mos 寄生電容

寄生電容 一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。 關于MOSFET 中的寄生電容，我們可以從下面MOSFET 的剖面圖 ...

#24. mos管的寄生电容大小 - 电知识网

MOS 管是一个系列,功率从小到大很多品种,寄生电容各不相同. ... 栅极有个寄生电容,驱动的时候电流主要是给这个寄生电容充电,关断的时候电容就给地放电, ...

#25. 谈MOS管的米勒效应 - 大大通

为什么会有稳定值这段呢？因为，在MOS开通前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G ...

#26. 盤點功率MOSFET典型應用的28個問題 - 今天頭條

特別注意的是：寄生電容Coss 不是線性的，隨著電壓的增大而減小，因此可以的看到波形振蕩的頻率並不是固定的。VDS 的高頻振蕩是無法消除的，增加Coss 或在 ...

#27. MOS管開關時的米勒效應 - 台部落

t3-t4：米勒電容充滿電，Vgs繼續上升到外界驅動電壓的值，此時MOSFET進入 ... 在MOS開通前，D極電壓大於G極電壓，則MOS寄生電容Cgd中就會儲存着電荷。

#28. CN1707813A - 具有减少的寄生电容的mos电容器

一旦Vg(栅极电势或正/负极电势)高于该电容器的阈值电压，两种类型的电容器实质上呈现出相同的电容。MOS电容器10还在它的阴极呈现出寄生电容，该寄生电容是由在N-阱16 ...

#29. MOS管驱动电路详解 - 深圳市恒南电子有限公司

原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这 ...

#30. 如果mosfet柵極懸空，加直流高壓，危險嗎？ - GetIt01

考慮mos的寄生電容模型如下（如題主所說，柵極懸空）. DS突加直流電壓，Cgd上的電壓會發生劇烈變化，根據公式 i=Cfrac{du}{dt} 會瞬間感應出較大的衝擊電流igd，由於柵 ...

#31. MOS管寄生電容是如何形成的？ - 在體育

根據不通電情況下反型層是否存在，MOS管可分為增強型、耗盡型——寄生電容形成的原因1. 勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合後， ...

#32. MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的？ - 360doc个人 ...

我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS 和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生 ...

#33. 寄生電容 - 華人百科

不管是電阻，電容，電感，還是二極體，三極體，MOS管，還有IC，在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值，電感值。 學術解釋. "寄生電容" 在學術文獻中的解釋. 1、另 ...

#34. 適合消費產品與照明應用的500V 超接面MOSFET

SJ MOSFET 的輸入及輸出電容值僅一半，因此具備降低切換損耗和驅動損耗的優點。圖3 以簡圖說明這. 些寄生電容（紅色圓圈）。 Page 8. 500V CoolMOS. ™. CE. 8.

#35. 功率MOS管主要参数

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻， ... 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是 ...

#36. 寄生電容_百度百科

寄生 的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由於佈線之間總是有互容， ... 不管是電阻，電容，電感，還是二極管，三極管，MOS管，還有IC，在高頻的情況下我們都要 ...

#37. MOS管的寄生电容是什么？如何测试mos管的寄生电容？ - AOS

MOS 管的寄生电容是什么？寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感， ...

#38. MOS開關管的選擇及原理應用- IT閱讀 - ITREAD01.COM

所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS.下面的介紹中，也多以NMOS為主。 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而 ...

#39. CN106250586A - 一种提取FinFET寄生电容模型的方法 - Google

[0002] 随着半导体工艺技术节点的不断缩小，传统的平面MOSFET遇到了越来越多的技术挑战，FinFET (鳍式场效晶体管)作为一种新型的三维器件结构，可以极大地提升MOSFET的器件 ...

#40. 雜散電容:寄生電容（parasitic capacitance） - 中文百科知識

MOSFET 及IGBT驅動器就是用來解決寄生電容的問題，其輸出電流亦較大。 寄生元件. 寄生元件（英語： parasitic element）是電路中電子元件（如電阻、電容 ...

#41. 準諧振反馳式電源設計探討:MOSFET,電路板 - CTIMES

MOSFET 包含若干個寄生電容，主要從元件的實體結構產生。它們可以利用數學方式簡化為MOSFET輸入電容CISS，和MOSFET輸出電容COSS，如(公式一)所示。

#42. 如何计算MOS管的寄生电容- 微波射频技术问答 - 易迪拓培训

如何计算MOS管的寄生电容. 录入：edatop.com 阅读：. 在电路中，用MOS管接地或者接电源来做电容，请问这种MOS管电容的大小怎么计算呢? 主要是Cox和Cov这两种电容如何 ...

#43. 四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...

電容 的半導體和氧化層介面處吸引 ... MOS結構的電容Cox：因為用MOS結構在半導體與氧化層間之介面 ... 當寄生的npn和pnp BJT被啟動時，會產生latch-up現象。通常是可逆.

#44. 在類比佈局設計中堆疊MOSFET - 電子技術設計 - EDN Taiwan

總閘極面積和總閘極電容仍然類似於非堆疊等效電路，但在互連線上還有額外的寄生電容。相較於單個長通道元件，堆疊元件的實體分離增加了總設計面積。 當在 ...

#45. 博碩士論文行動網

在諸多文獻的模擬結果中可以發現，當製程越是進步，則MOS高頻特性受到佈局方式的影響 ... 量測結果顯示，減少元件內部的金屬層數確實可以明顯降低寄生電容和寄生電阻。

#46. 橫向擴散的射頻金氧半場效電晶體之佈局設計與熱特性分析

在傳統的MOSFET中，寄生汲極電容指的是n+的汲極和p型基底間的接面電容。 ... For MOSFET, the conventional parasitic drain capacitance refers to the n+ drain to ...

#47. mos 電阻公式

繼前次Si電晶體的分類和特徴、基本特性之後，接著我想追加說明目前被廣泛用來作為功率切換的Si-MOSFET的特性。 MOSFET的寄生電容MOSFET在構造上存在有下圖般寄生的静電容量 ...

#48. 寄生電容計算

由於使MOSFET動作必須驅動（charge充電）此電容，因此Ciss是討論輸入功率元件驅動 ... 寄生電容（ parasitic capacitance ），也稱為雜散電容，是電路中電子元件之間或 ...

#49. MOS-阿摩線上測驗

30 如圖所示一放大器，外接電容為CC1、CC2和CS，MOSFET 的寄生電容為Cgs 和Cgd。有關此放大器電路在中頻的增益（Mid-band gain），下列敘述何者正確？

#50. [問題求助] MOS的寄生電容 - Chip123

那如果對PMOS與NMOS來說，PMOS的Cgs大還是NMOS的Cgs大? 為什麼呢?那PMOS的Cgd大還是NMOS的Cgd大? 為... MOS的寄生電容,Chip123 科技應用創新平台.

#51. 寄生电容对LLC 谐振变换器的影响分析 - 《电源学报》

键元件的功率半导体器件, 如MOSFET 和二极管. 等,由于器件制造工艺的缘故,也不可避免地存在. 寄生结电容。在分析这些寄生电容对LLC 变换器影.

#52. 搞懂MOS管，你不得不知道的米勒效應

分類：由 EDA365電子論壇 發表于 數碼; 時間：2021-08-31. EDA365電子論壇. 1. 認識米勒電容. 如圖，MOS管內部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因為寄生電容的存在，所以給柵 ...

#53. 節能高效的最佳男主角-DR-MOS | ProPowertek宜錦科技

Doctor MOS也稱DR-MOS，是將驅動IC(Driver)、High Side MOS和Low Side MOS， ... 與分離獨立的元件相較，DR-MOS可大幅度降低寄生電容電感，進而降低開關損耗， ...

#54. MOS管G極串接二極體作用,MOS管上的二極體什麼作用

由於mos管是電壓控制元件，此電容的存在必然會對mos管的高頻. ... 要考慮二極體的單向導通性，主要是其保護作用，g,s間的寄生電容較小，通常在幾pf ...

#55. MOS管驅動電路有幾種，看完就明白了 - 中國熱點

①查看電源IC手冊的最大驅動峰值電流，因為不同晶片，驅動能力很多時候是不一樣的。②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大 ...

#56. 寄生電容計算 - Hrizax

寄生電容 （parasitic capacitance），也稱為雜散電容，是電路中電子元件之間或 ... 的走线寄生电感怎么计算2015-09-18 如何计算MOS管的寄生电容2016-06-01 过孔的寄生 ...

#57. 功率MOSFET 的寄生振荡和振铃

功率MOSFET 有很大的跨导gm 和寄生电容。因此，线路电感和其它杂散电感（栅电路、源电路和漏. 电路之间的电感以及相关互连中的 ...

#58. 关于减小NexFET 功率MOSFET 震荡的方法 - 德州仪器

同步管的电容，. 寄生电感（封装电感，较差的布局，等等）组成了谐振网络，导致了开关管上的振铃（见阶段. 3）。 图2. 开关节点的波形. 1. 由于振铃会在开关节点上叠加， ...

#59. MOSFET及MOSFET驅動電路總結 - 研發互助社區

MOS 管的三個管腳之間有寄生電容存在，如右圖所示。這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法 ...

#60. AN4671 应用笔记如何调整碳化硅MOSFET 驱动减少功率损耗

因此，关键要以怎样的方式驱动碳化硅MOSFET，以促进尽可能低的传导损耗和开关损耗，这 ... MOSFET 的寄生电容CGD 充电的充电电流，此电流通过米勒电容，栅极电阻和CGS ...

#61. 110 年公務人員初等考試試題

如果將電容濾波全波整流器的負載阻抗降低，則漣波電壓會如何變化？ ... 如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2 和CS，MOSFET 的寄生電容約為Cgs 和.

#62. 請問MOS管，用來做開關用時，只需提供門極G和源極S的足夠電

是說igs≈0。考慮柵極電流的情況，比較常見的只有一個，就是開關訊號頻率很高時，柵極的寄生電容高速充放電會產生較大的電流。

#63. 变压器寄生电容_社区搜索 - 世纪电源网

小弟自己绕了个反激变压器想用LCR电桥测试仪测一下初级侧电感的寄生电容，发现测出来的数据是负值，不知道什么情况？用该测试仪测电容却没有问题，请问各位前辈是 ...

#64. MOS管寄生电容是指... - PCB资讯 - EDA365电子论坛网

寄生电容 是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不 ...

#65. 提升低電壓同步降壓轉換效能堆疊式MOSFET成效卓著 - 新通訊

然而，RDS(ON)逐漸提升會降低效益，低RDS(ON)裝置則有極大的寄生電容，而無法發揮提升功率密度所需的高頻率運作。 矽晶片及封裝技術的進展，使得封裝縮小 ...

#66. AN-9005 快速开关超结MOSFET 的驱动和布局设计

由. 于功率MOSFET 是栅极控制型器件，所以实现平衡的重. 点在于优化栅极驱动电路。最大限度地减少印制电路板. 上的寄生电感和电容同样重要。 栅极电阻的影响.

#67. 開關電路MOS管設計知識

1,MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可被製造成增強型或耗盡 ... MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限製 ...

#68. 詳細講解MOS管的米勒效應，以及它的形成原理 - 雪花新闻

米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應， ... 因爲，在MOS開通前，D極電壓大於G極電壓，MOS寄生電容Cgd儲存的電量需要在 ...

#69. [轉] 高頻mos 選擇需要考慮相關資料

因MOS導通時是從輸入電容充電,Ciss為Cgs與Cgd之和,Cgs與Cgd一樣有米勒效應關系, ... 再說下MOS管的寄生電容對效率的影響把，這個涉及的比較多了。

#70. 104年公務人員初等考試試題 - StudyBank

19 如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），且忽略元件之寄生電容與輸出阻抗，下. 列何種調整方式無法增加放大器之頻寬？ 減低CL. 增加Vb.

#71. MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用 - 微桥

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压 ... MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，如右图所示。

#72. 功率MOSFET输出电容的非线性特性 - 新浪财经

功率MOSFET的数据表中有三个寄生电容：输入电容Ciss、输出转移电容Crss和输出电容Coss。其中，Crss为栅极G和漏源D电容，这个电容也称米勒电容；栅极和源极 ...

#73. ROHM推出業界頂尖第4代低導通電阻SiC MOSFET 加速車載 ...

而且，藉由大幅減少切換時會產生損耗的寄生電容※4，能比傳統產品成功降低約50％的切換損耗。 因此，兼具低導通電阻和高速切換性能的第4代SiC MOSFET，將有 ...

#74. 浅析MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响

要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容上存储的电荷可以在死区时间内被完全释放干净。 MOSFET ...

#75. EL3120 IGBT Gate Drive Optocoupler 應用手冊 - 億光電子

特性，具有MOSFET 快速開關與BJT 高電流導通的性能，此外，IGBT 具有較低的導通壓降及較高. 的耐壓，電路模型可以簡化為由MOSFET ... 圖3 為IGBT 寄生電容示意圖。

#76. 什麼是寄生電晶體 - 就問知識人

而且，兩個導體之間總是存在非零電容，在當諸如導線、印製電路板之類的元件被以更高頻率接近擺放時，這就會造成一些不被期待的結果。 而製造mos管或igbt時 ...

#77. Lab 1：HSPICE 介紹目的： - 輔仁大學學術資源網

圖(一) MOS 寄生電容示意圖. Page 2. 電子實驗(下) Lab 1. - 2 -. 二、 HSPICE 計算方式：. SPICE 的計算方法是利用個節點連接之元件間電流值與節點之電壓組成陣列，對. 於 ...

#78. [問題] 想請問有關充電與放電- 看板Electronics

這是個很笨的問題，小弟我學生時代基礎不好，想請問各位大大，經常在PWM轉換器與半橋電路中看到，無論是開關MOS本身的寄生電容，亦或是具體的周邊RLC ...

#79. MOS管的工作原理淺顯易懂 - w3c學習教程

mos 管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但 ...

#80. 如何在連續導通模式功率因數校正下避免MOSFET 切換雜訊問題

pole drive circuit)， Q1 的閘極就出現嚴重的振鈴(ringing) 在起動及空載測試條件. 下。此振鈴大部分MOSFET 的內部寄生電容(parasitic capacitance) ...

#81. 如何為MOS管選擇最適合的驅動電路 - 劇多

由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必 ... 這裡，電源IC的驅動能力、MOS寄生電容大小、驅動電阻阻值都將影響MOS管 ...

#82. mos管寄生电容是什么看了就知道

mos 管寄生电容是什发表于2020-10-09 12:04:17. 寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个 ...

#83. 【問題】MOSFET電路設計問題 - 巴哈姆特

無名氏 因為MOSFET的gate會有寄生電容，所以Driver關閉時寄生電容會放電，如果走原本的R1的話，放電速度會比較慢，你的開關速度就會變低.

#84. 功率金氧半電晶體(Power MOSFET) 之簡介 - 台灣電子材料與 ...

Power MOSFET ( 功率金氧半場效. 電晶體) 在發展初期是以水平式 ... 圖二：Power MOSFET 應用上所需之電壓與電流. Voltage (V) ... 電晶體的輸入寄生電容示意圖，其大.

#85. [請益] 關於power mos loss分析與寄生電容問題- electronics

[請益] 關於power mos loss分析與寄生電容問題 ... Y軸是CISS或COSS的圖來得到此電容值並算出power loss這樣而在cadence spectre的模擬，看到有人是 ...

#86. 如何為MOS管選擇最適合的驅動電路 - 鳳梨問答

如何為MOS管選擇最適合的驅動電路，MOS管作用與特性是什麼？…… ... 這裡,電源IC的驅動能力、MOS寄生電容大小、驅動電阻阻值都將影響MOS管開關速度。

#87. mos管寄生電容是什麼看了就知道 - 亚博应用APP软件首页

寄生電容 是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。實際上，一個電阻等效於一個電容，一個電感，一個電阻的串聯，低頻情況下表現不 ...

#88. mos管寄生电容的影响有多大？你可能永远都想不到！ - bilibili

#89. 應用電子學實驗MOSFET做動原理- YouTube

#90. MOS開關管的選擇及原理應用 - 尋夢園

MOS 管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再 ...

#91. mosfet寄生電容搜尋結果

寄生电容 的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有 ...... 全文檢視 » · （轉貼）MOS ...

#92. 《知識問答》如何為MOS管選擇最適合的驅動電路 ... - 人人飲酒-

由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必 ... 這裡，電源IC的驅動能力、MOS寄生電容大小、驅動電阻阻值都將影響MOS管 ...

#93. 利用示波器量測電源供應器切換損耗 - Tektronix

如圖3b 所示，閘上的寄生電容會減慢裝置的切換. 速度，延長了開啟和關閉的時間。每當汲極電流流動. 時，MOSFET 汲極與源極間的寄生電阻便會消耗功率。

#94. [問題] MOS 寄生電容對寬度的曲線- 看板Electronics - PTT網頁版

大家好我想了解MOS的寄生電容與寬度之間的關係是否有MOS的寄生電容對寬度(width)的曲線呢? 目前找到的都是寄生電容對電壓的關係請問我該怎麼找呢?

#95. MOSFET 栅极驱动电路

考虑驱动电路和驱动电流时，MOSFET 的栅极电荷Qg 比其电容更加重要。 ... MOSFET 的一大问题在于其漏栅电容会导致出现寄生开通（自开通）现象。

#96. 半导体集成电路 - 第 62 頁 - Google 圖書結果

R 0 当下电极用 N + 发射区扩散层时, MOS 电容的电容值基本上与电压大小及电压极性无关。 ... Mod / 6 MOS 电容有较大的寄生电容 Cs ,所以其 CMos / CS 较 Dsc Cs 小。

#97. 新電子 12月號/2019 第405期 - 第 66 頁 - Google 圖書結果

然而,由於GaN閘-源極電容(CgS)和MOSFET Co ss必須在G a N裝置關閉前充電達到 GaN臨界值 ... 然而,在直接驅動配置中,MOSFET始終處於開啟狀態,而其寄生二極體因為較低 ...

#98. 超大规模集成电路设计导论 - 第 177 頁 - Google 圖書結果

扩散电容构成了图 7.15 KJ MOS # Csb Full Cdbo 表 7.8 典型扩散电容值( ly N 阱工艺) Cja Cjp ... 4x10 * pFrum ( 3 )连线电容连线电容一般是由连线引起的寄生电容。

#99. 现代电力电子器件及其应用 - 第 119 頁 - Google 圖書結果

虽然所有型号的功率 MOSFET 都同这个例子一样只在低偏压范围内具有电压敏感的电容,但是不同型号器件的压敏范围、敏感程度以及同一偏压下的电容大小等参数都有很大差别 ...