#半導體製程 #鰭式場效電晶體FinFET #全耗盡型絕緣上覆矽FD-SOI #異質整合HI #物聯網IoT #量子運算QuantumComputing
【先進節點是晶片效能保證?未必!】
每次關於半導體的場合,總少不得對「摩爾定律」(Moore's Law) 品頭論足一番;有人主張它已近窮途末路,更有人直接宣告它的消亡。事實究竟如何?今後又有哪些創新可能?
基本上,技術節點 (node) 數值越小,晶片的集成密度就越高;但值得留意的是,進入先進製程後,技術節點並非晶片效能的保證!因此,電晶體微縮也是一段創新歷程——如今當道的鰭式場效電晶體 (FinFET) 和全耗盡型絕緣上覆矽 (FD-SOI) 是採通道幾何微縮 (Channel Geometry Scaling)。
延伸閱讀:
《半導體創新,急如星火》
http://compotechasia.com/a/feature/2019/1011/42988.html
(點擊內文標題即可閱讀全文)
#國際半導體產業協會SEMI #台積電TSMC #愛美科imec #電子暨資訊技術實驗室CEA-Leti #意法半導體ST #新加坡國立研究基金會 #工業技術研究院ITRI
全耗盡型絕緣上覆矽fd 在 EE Times Taiwan Facebook 八卦
Globalfoundries和成都市打算靠中國來改寫全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)的歷史???
全耗盡型絕緣上覆矽fd 在 Soitec/意法等及半導體研究機構CEA-Leti共組聯盟開發FD-SOI ... 的相關結果
... 將共同制定新一代FD-SOI(全耗盡型絕緣上覆矽)晶片技術之發展路徑圖;該聯盟呼應了歐洲晶片法案將半導體產業科技自主權列為關鍵發展支柱之目標。 ... <看更多>
全耗盡型絕緣上覆矽fd 在 FD-SOI會是顛覆性技術嗎? - 電子工程專輯 的相關結果
全耗盡型絕緣上覆矽 (FD-SOI)製程技術正從原本的「遲到」(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想 ... ... <看更多>
全耗盡型絕緣上覆矽fd 在 2016/12/02 世界首款以全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI) 的相關結果
Leti成功的關鍵在於使用了超冷的全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI),製造出可儲存與處理自旋編碼的量子點。這項成就發表於「CMOS矽自旋量子位元」(A CMOS ... ... <看更多>